- 据称，英伟达今年计划采购高达 80 万个 SOCAMM 单位，三大内存巨头之间一个新的战场正在形成。美国美光似乎正在领先，据报道，美光已开始为英伟达生产 SOCAMM 模块。与此同时，三星和 SK 海力士正积极加入竞争。以下是他们最新的进展。什么是 SOCAMM？如 Hansbiz 所述，SOCAMM（小型轮廓压缩附加内存模块）是一种新型服务器内存模块，使用低功耗 DRAM（LPDDR），并针对现有 HBM 无法完全支持的负载。韩国 Herald 解释说，SOCAMM 垂直堆
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- 报道称，日本新创晶圆代工厂商Rapidus的IIM-1厂区已经展开对采用2nm环绕栅极（GAA）晶体管技术的测试晶圆进行原型制作，并计划在2027年量产。为了支持早期客户，Rapidus正在准备于2026年第一季发表其制程开发套件（PDK）的第一个版本。根据最近披露的数据，2023年9月，Rapidus在北海道千岁地区开始建设其首座晶圆厂IIM-1；2024年4月，晶圆厂的框架、洁净室和基础设备就已完工；2024年12月，引进了ASML的EUV光刻机设备；2025年4月，启动了中试线，随后7月成功完成了第
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- 据自由时报（ 自由时报 ）援引韩国媒体 FNnews（FNnews）报道，消息人士称三星已派遣在芯片制造多个领域拥有专业知识的员工到其德克萨斯州工厂。Wccftech 指出此举可能旨在加速泰勒工厂的建设——并暗示美国公司可能对向该公司订购芯片表示兴趣。然而，三星加速完成泰勒晶圆厂的背后可能还有另一个原因。正如 Tom’s Hardware 所强调的，该公司需要让该设施投入运营，才能获得《芯片法案》的资助。此前，Tom’s Hardware 引用 Nikke
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- 随着三星推出最新的折叠手机——Galaxy Z Flip7 和 Z Fold7，人们的目光现在转向了苹果的第一款折叠手机。据报道，三星显示部门已获得一份多年独家合同，为该设备供应折叠 OLED 面板，该设备定于 2026 年推出，信息来源为 ETNews。报道称，三星显示正在其位于忠清南道安山市 A3 工厂建设一条专用生产线，以独家供应苹果的折叠屏 OLED 面板。该项目于 2024 年末开始，据 ETNews 报道，现已接近完成。据 ETNews 报道，苹果计划在 2026 年推出年产量为 6
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- 7 月 8 日，Cadence通过其微信公众号正式宣布，这家美国公司最近决定扩大与三星晶圆厂的合作。双方已签署一项新的多年 IP 协议，以扩展Cadence?存储器和接口 IP 解决方案在三星晶圆厂先进 SF4X、SF5A 和 SF2P 工艺节点的部署。这些解决方案将支持人工智能数据中心、汽车系统和下一代射频连接的高性能、低功耗应用。通过结合Cadence的 AI 驱动设计和硅解决方案与三星的先进制造技术，这项合作旨在加速基于三星领先节点的尖端系统级芯片（SoC）、芯片和 3D-IC 产品的上市时间（TT
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- 三星在 HBM3E 验证方面与英伟达的持续问题继续影响其业绩，对其第二季度结果没有提振作用。根据 Yonhap 和 朝鲜日报 的报道，三星第二季度营业利润暴跌近 56% 至 46 万亿韩元——远低于分析师预期的 60 万亿韩元。 路透社 指出，这是三星六季度以来最弱的季度利润。尽管预计下半年会出现转机，但 Techstrong.IT 的报告引用分析师警告称，特朗普刚刚宣布的对日本和韩国的 25% 关税可能会对索尼和三星等公司产
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- 根据两份新报告，台积电和三星电子正在将其在美国的晶圆厂业务转向不同的方向。《华尔街日报》今天援引消息人士的话说，台积电正在加速对其亚利桑那州晶圆厂的投资。与此同时，据报道，三星正在推迟德克萨斯州一家芯片工厂的竣工。两家公司的建设项目预计耗资超过 1800 亿美元。 据《华尔街日报》报道，台积电正在放慢在日本的晶圆厂建设项目，以便为其在亚利桑那州的加速投资计划提供更多资源。后一项计划将使该公司在凤凰城附近建造一个庞大的制造中心，该中心将容纳九个不同的设施。该中心预计将满负荷雇用 6,000 名专业
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- 虽然英特尔已从 18A 转向 14A 进行战略权衡，据报道三星通过优先考虑 2 纳米和 4 纳米而不是 1.4 纳米做出了妥协，根据 ZDNet。同时，Chosun Biz 透露，这家陷入困境的半导体巨头还计划通过将这些节点的价格定价比台积电低约 30%来提高 7 纳米以下工艺的需求——这仍然是中国竞争对手无法企及的领域。Chosun Biz 报道称，三星的 4 纳米工艺旨在通过 SF4U 提升约 20%的能效来赢得订单。据三星称，SF4U 是一款高端 4 纳米变体，采用光学缩小技术来
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- 根据 ZDNet 的数据，虽然英特尔已将重点从 14A 转移到 18A，但据报道，三星通过优先考虑 2nm 和 4nm 而不是 1.4nm 做出了妥协。与此同时，Chosun Biz 透露，这家陷入困境的半导体巨头还计划通过使节点定价比台积电低约 30% 来增加对 7nm 以下工艺的需求——中国竞争对手仍然无法企及。Chosun Biz 表示，对于其 4nm 工艺，三星的目标是通过 SF4U 将能效提高约 20% 来赢得订单。据三星称，SF4U 是一种优质的 4nm 变体，使
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- 全球新兴记忆体与储存技术市场正快速扩张，而台积电、三星、美光、英特尔等半导体巨头正与专业IP供应商合作，积极推动先进非挥发性存储器解决方案的商业化。过去两年，相变内存（PCM）、电阻式随机存取内存 （RRAM） 和 自旋转移矩磁阻式随忆式内存 （STT-MRAM） 已从实验室走向次22纳米节点的试产阶段，并运用3D堆叠技术实现高密度，以解决传统DRAM和NAND闪存在延迟、耐用性和能源效率方面的限制。在台积电、三星、美光、英特尔等业界领导者的合作下，每年超过50亿美元的研发投入加速新材料与制程的成熟。 这
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- 根据韩国媒体 Business Post 的报道，三星电子似乎接近确保高通成为其下一代 2nm 代工工艺的第一个主要客户。这一发展可能标志着三星朝着重振苦苦挣扎的合同芯片制造业务迈出了重要一步，该业务一直面临持续的良率问题，并失去了台积电的关键客户。据报道，高通正在使用三星的 2nm 技术对多款芯片进行量产测试，包括其即将推出的 Snapdragon 8 Elite 2 移动处理器的高级版本。这款代号为“Kaanapali”的芯片将有两种变体。基本版本预计将由台积电使用其 3nm 工艺
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- 据外媒Business Post报道，三星计划在2026年推出的Galaxy S26系列旗舰智能手机，除了搭载基于自家2nm制程代工的Exynos 2600芯片外，还将采用高通新一代骁龙8系列旗舰芯片，可能命名为Snapdragon 8 Elite Gen 2。值得注意的是，这款高通芯片将不再由台积电独家使用N3P制程代工，而是部分交由三星2nm制程代工，专为三星Galaxy系列设备定制。报道显示，高通的下一代芯片策略将有重大调整，计划为新一代骁龙旗舰手机芯片开发两个版本。一个版本采用台积电3nm制程，供
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- 根据韩国媒体 Business Post 的报道，三星电子似乎即将获得高通作为其下一代 2 纳米晶圆代工工艺的首个主要客户。这一发展可能标志着三星苦苦挣扎的合同芯片制造业务复苏的重要一步，该业务一直面临持续的良率问题和关键客户流失给台积电的情况。据报道，高通正在使用三星的 2 纳米技术对数款芯片进行大规模量产测试，包括其即将推出的高端版骁龙 8 Elite 2 移动处理器。这款芯片的代号为“Kaanapali”，将提供两种变体。基础版本预计将由台积电使用其 3 纳米工艺生产，而高端版“Kaanapali
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- 在全球芯片代工市场的激烈竞争中，格局正发生深刻变化。虽然台积电一直保持着其主导地位，但曾经稳居第二的三星电子如今面临严峻挑战，中芯国际展现出强劲势头正在追赶这家韩国巨头。调研机构TrendForce发布的报告显示，2025年第一季度，全球前十大晶圆代工厂中，台积电凭借先进制程导入速度和良率控制方面的绝对优势，以67.6%的份额稳居榜首。值得注意的是，中芯国际正以惊人的速度追赶三星电子，其市场份额已攀升至6%并持续增长，而三星电子的市场份额已降至7.7%。第四名至第十名分别为联电 (UMC)、格芯 (Glo
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- 据报道，随着主要竞争对手台积电和英特尔的目标是在 2025 年下半年实现 2nm 和 18A 的量产，三星也在调整其业务战略。据 ZDNet 称，它现在专注于提高和优化其当前先进节点的良率，尤其是 2nm 和 4nm。值得注意的是，虽然没有给出修改后的时间表，但该报告表明，三星的 1.4nm 生产现在不太可能在 2028 年甚至 2029 年之前开始。据 ZDNet 称，该更新是在 6 月初的三星“SAFE（三星高级代工生态系统）论坛 2025”期间发布的。据报道，在此次活动中，三星透
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