Hilfiger Denim发布2017年春季TOMMY JEANS ‘90S系列
从热退火到原子级剥离，研究人员正在重新思考制造瓶颈，以解锁半导体新的性能上限。密歇根大学、麻省理工学院、威斯康星大学麦迪逊分校和多伦多大学的研究团队最近展示了如何通过新颖的工艺调整，而不仅仅是新材料，来显著提高设备性能和可扩展性。这些制造技术可以推动从压电传感、红外成像到太阳能能的应用。 热处理技术大幅提升压电薄膜性能密歇根大学的工程师们通过简单的生长后热退火步骤，将钪铝氮化物（ScAlN）的压电响应提高了八倍——这种材料已被视为传统陶瓷如 PZT 的继任者。转折点？将材料加热至 700°C 持
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铜和光互连作为下一代数据中心的选择都面临局限性。了解第三种选择如何承诺在未来多年里支持数据中心中 AI 集群的扩展。在未来几年里，数据中心中 AI 加速器集群的扩展将面临复合挑战。系统架构师将需要同时应对三个挑战：提供更好的性能以满足飙升的带宽需求。在计算能力和复杂性的扩展中控制成本。继续提高能源效率。这三个挑战让网络运营商夜不能寐。虽然新技术的出现为创新创造了机会，但也让数据中心不堪重负。新的 AI 和机器学习工作负载，如生成式 AI 和大型语言模型（LLMs），正在将数据带宽推向传统互连之外，速度迅速
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【EEPW 电子产品世界 讯】在摩尔定律逼近物理极限、全球科技竞争加剧的背景下，芯片制造正不断向更高精度与更高效率迈进。近日，中国与美国团队分别在光刻技术与计算架构领域取得重要进展，为半导体行业注入新的活力。中国科学院实现193nm固态深紫外激光器来自中国科学院的一项最新研究成功开发出可发射193纳米波长光的固态深紫外（DUV）激光器，这一波段是先进芯片光刻的关键技术。目前，商用光刻系统普遍采用氟化氩（ArF）准分子激光器作为光源，存在体积大、系统复杂和运维成本高等问题。与之相比，固态激光器结构紧凑、稳定
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台积电（TSMC）近日正式宣布，将在2026年推出全新的共同封装光学（CPO）技术，融合其业界领先的Chip-on-Wafer-on-Substrate（CoWoS）封装技术与硅光子（Silicon Photonics）技术。此举旨在满足人工智能（AI）与高性能计算（HPC）领域对高速数据传输和低能耗的迫切需求，同时引领下一代数据中心的技术潮流。COUPE：台积电CPO战略的核心技术在此次技术布局中，台积电紧凑型通用光子引擎（Compact Universal Photonic Engine，COUPE）
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什么是电位器？电位器（Potentiometer），简称“Pots”，是工程师中常用的称谓，实际上是一种带有机械调节机构的电阻器，可以手动调节其阻值。电阻器本身提供固定的阻值，用于阻止或“限制”电路中的电流流动。而电位器的本质是一种可变电阻。电位器的工作原理是通过分压器调节输出电压，并能够精确测量（即“计量”）电势，这也是“电位器”名称的由来。它们产生的输出信号与电刷在电阻元件上的物理位置成比例，具有连续可变性。作为被动元件，电位器无需额外电源或电路即可运行。电位器的简史在19世纪初电力研究和开发快速发展
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明尼苏达大学的研究人员开发出一种透明的导电材料，大大提升了电子在高功率电子设备中的移动速度和效率，为人工智能、计算机技术和量子技术等领域带来了潜在变革。该材料能够在可见光和紫外光下保持透明，同时实现前所未有的高性能，这是半导体设计中的一项重要突破，有望推动全球半导体产业的发展。半导体是智能手机和医疗设备等电子产品的核心。为满足新技术需求，科学家不断研发超宽带隙材料，这些材料能在极端条件下高效传导电力，适用于更耐用的电子设备。本研究通过增大材料的“带隙”来提升透明度和导电性，为高性能计算、智能手机，甚至量子
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芝加哥大学的科学家们开发出一种新型凝胶材料，既具备传输信息的半导体功能，又能在活体组织和机器之间构建稳固连接。这一创新为生物电子学领域开辟了广阔前景，或将推动起搏器和其他植入式设备的发展。芝加哥大学普利兹克分子工程学院的研究表明，这种新材料或可用于改进脑机接口、生物传感器和心脏起搏器等设备。理想的生物电子接口材料应当柔软、可拉伸，并与人体组织一样具有亲水性，因此水凝胶被认为是最佳候选材料。然而，用于制造生物电子设备的核心材料——半导体——传统上却表现出刚硬、易碎且疏水的特性。在《科学》期刊上发表的芝加哥大
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冲绳科学技术研究所（OIST）的Tsumoru Shintake教授提出了一种超越半导体制造标准的极紫外（EUV）光刻技术。基于此设计的EUV光刻可以使用更小的EUV光源，降低成本并显著提高机器的可靠性和寿命。它的功耗也不到传统EUV光刻机的十分之一，有助于半导体行业变得更加环保可持续。通过解决两个以前被认为在该领域不可克服的问题，这项技术得以实现。第一个问题涉及一种仅包含两个镜子的全新光学投影系统。第二个问题涉及一种新的方法，可以有效地将EUV光引导到平面镜（光掩模）上的逻辑图案，而不会阻挡光学路径。E
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中国科学家们研发出一种超薄半导体材料，这一进展可能会带来更快、更节能的微芯片。由北京大学的刘开辉、人民大学的刘灿和中国科学院物理研究所的张光宇领导的团队，开发了一种制造方法，可以生产厚度仅为0.7纳米的半导体材料。研究人员的发现于7月5日发表在同行评议期刊《科学》上，解决了减少传统硅基芯片尺寸的关键障碍——随着设备的缩小，硅芯片遇到了影响其性能的物理极限。这些科学家探讨了二维（2D）过渡金属二硫化物（TMDs）作为硅的替代品，其厚度仅为0.7纳米，而传统硅芯片的厚度通常为5-10纳米。TMDs还消耗更少的
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2025-08-04，美国国家核能办公室发表声明，橡树岭国家实验室（ORNL）的一项新研究证明氮化镓半导体可以在核反应堆核心附近的恶劣环境中成功存活。研究发现这一发现可能使得在运行中的反应堆中将电子元件放置得更靠近传感器成为可能，从而实现更精确的测量和更紧凑的设计。这些研究结果可能有一天会导致在核反应堆中使用无线传感器，包括目前正在开发的先进小型模块化和微型反应堆设计。更靠近核心传感器用于从核反应堆中收集信息，可以在设备故障发生前识别潜在问题。这有助于防止计划外停机，每天可能导致公司损失数百万美元的发电收
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在凝聚态物理实验室（PMC*），一个团队成功确定了与半导体中原子排列缺陷存在相关的自旋依赖电子结构。这是首次测量到这种结构。研究结果发表在《物理评论快报》上。研究像所有晶体材料一样，半导体由在空间中完美规则排列的原子组成。但实际上材料从未完美，即使使用最先进的工艺进行大规模生产，半导体仍然存在缺陷。这些缺陷会改变材料的局部电子结构，可能产生负面影响，也可能对应用有益。这就是为什么理解它们背后的基本物理原理如此重要。这正是PMC团队所完成的工作，得益于阿加莎·乌利巴里在其论文期间的研究，并发表在《物理评论快
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对于社会要过渡到电气化世界，许多技术（如电动汽车电机和电网电池）需要普及。这些技术许多都需要稀土金属，而这些金属在成本上不仅昂贵，还对环境和社会有害。上周，一家总部位于英国的公司宣布，他们利用人工智能在仅仅三个月内成功开发出一种完全不使用稀土金属的磁体。根据该公司表示，这比正常速度快了大约200倍。人工智能已经被用于发现绿色能源过渡中的其他关键领域的材料，显示出人工智能可以成为对抗气候变化的强大盟友。众所周知，世界需要迅速摆脱化石燃料。人类绿色能源快速转型的一个大问题是，将来为电动机和电池提供动力需要稀土
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摘要研究人员开发了一项技术，解决了下一代半导体技术、自旋电子学和轨道电子学的缺点。韩国科学技术院（KAIST）物理系教授金世权和浦项科技大学（POSTECH）物理系教授李贤宇领导的联合研究团队，成功观察到了可以在不产生电子热的情况下传输信息的“磁振子”新运动。这一突破于6月17日公布。研究背景传统的信息处理技术由于使用电子，在通过导体时因电阻产生热量而损失大量能量。自旋电子学利用电子的电荷和磁自旋，而轨道电子学则利用电子轨道的位置，但两者都面临过热问题。最近，人们希望通过使用称为“磁振子”的量子波来解决这
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麻省理工学院氮化镓被誉为下一代半导体，未来有可能取代硅，但对这种材料的研究仍处于初级阶段。因此，麻省理工学院（MIT）及其他美国研究机构的研究人员决定将其推向新的高度，并在900华氏度以上的温度下测试它。人类对太阳系行星的探索一直集中在远离太阳的行星。例如，金星的温度极其高，可以瞬间融化铅，我们的航天器在那儿也无法存活片刻。即使研究人员发送一个具有耐热外壳的航天器，基于硅的车载电子设备也会在极端温度下失效，使整个任务毫无意义。作为一种材料，氮化镓已知能承受超过900华氏度（500摄氏度）的温度，但科学家们
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使用DNA折纸，LMU研究人员构建了一个周期为数百纳米的金刚石晶格
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