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- 2013 年 12 月12 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出通过AEC-Q101认证的采用非对称PowerPAK? SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。
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Vishay MOSFET
- 2013 年 12 月6 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，为其PRA系列高精度薄膜表面贴装卷包片式电阻阵列增添073--- PRA073和074--- PRA074小外形尺寸。新的PRA073和PRA074提供最多8个不同欧姆值的电阻，是业内尺寸最小的此类器件，具有0.01%的严格公差比和1ppm/℃的TCR Tracking。
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Vishay PRA 电阻
- 2013 年 12 月3 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新系列高精度薄膜MELF电阻--- UMB 0207。Vishay Beyschlag UMB 0207系列器件是针对对高可靠性和稳定性有严格要求的应用而设计的，是业内首款在标准0207外形尺寸内实现±5ppm/K的TCR和±0.02%的容差的MELF电阻。
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Vishay UMB MELF电阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET? P沟道Gen III功率MOSFET。
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Vishay MOSFET 导通电阻
- 2013 年 11 月26 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用低外形SMF封装的新系列表面贴装ESD保护二极管---SMFxxA系列器件。该系列器件可用于便携式电子产品，在10/1000μs条件下可承受200W的高浪涌。
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Vishay SMF ESD
- 2013 年 11 月25 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用0603和0805外形精巧的新器件，功率等级分别达到0.375W和0.675W，扩展其PHP系列精密高功率薄膜片式电阻。Vishay Dale薄膜器件兼具高功率和达到±25ppm/℃绝对低值的TCR，容差低至±0.1%，可在-55℃～+125℃温度范围内工作。
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Vishay 薄膜片式电阻
- 日前，Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号：VSH)宣布，推出采用0402和0603外形尺寸的具有更低欧姆值的产品，扩充其MC系列专业和精密薄膜片式电阻。这些改进后的器件可为各种各样的电子系统提供稳定的性能。
现在，0402外形尺寸的专业和精密系列产品可以分别提供低至10Ω到100Ω的阻值，所有产品都具有良好的TCR和容差。采用0603外形尺寸的专业和精密系列电阻可以提供低至1Ω的更低阻值，TCR为±50ppm
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Vishay 薄膜片式电阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用0402和0603外形尺寸的具有更低欧姆值的产品，扩充其MC系列专业和精密薄膜片式电阻。这些改进后的器件可为各种各样的电子系统提供稳定的性能。
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Vishay TCR 电阻
- 2013 年 11 月18 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，该公司的光电子事业部推出专用演示套件，可演示使用一个数字式接近传感器和两个分立的红外发射器，为任意设备增加非接触式向右划、向左划、探测距离和进行点击操作的简化方法。演示套件现可订货。
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Vishay 传感器 发射器
- 2013 年 11 月7 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用3.2mm x 2.51mm x 1.2mm透明SMD侧视封装的新款940nm高速红外发光二极管---VSMY14940和VSMB14940。这两款器件基于GaAIAs表面发射器和多量子井(MQW)技术，具有高发光强度和光功率，以及快速的开关时间。
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Vishay 二极管 发射器
- 2013 年 11 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出具有1.5?低导通电阻的新款±15V精密单片4路单刀单掷(SPST)CMOS模拟开关--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模拟工艺，导通电阻只有1.5?
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Vishay CMOS 导通电阻
- 2013 年 10 月14 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，将与中国电源学会合作于10月16日举办电源专题研讨会，该研讨会内容涵盖功率MOSFET、电源模块、光电器件和二极管，同期还将有多位业内专家出席并做宣讲。研讨会将在中国武汉的长江大酒店召开。
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Vishay MOSFET
- 2013 年 10 月18 日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出在满功率情况下工作温度达+155℃，在+250℃下线性降额至0W功率的新款精密车用薄膜片式电阻---PATT。该电阻通过AEC-Q200认证，工作温度范围比传统薄膜片式电阻扩大了近100℃，绝对TCR低至±25ppm/℃，经过激光微调后的容差只有±0.1%。
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Vishay 电阻 PATT 薄膜片
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用铁粉的、符合WPC(无线充电联盟)标准的新款无线充电接收线圈---IWAS-4832EC-50，可适用于有对准磁铁或者没有对准磁铁的设计使用条件。该款无线充电接收线圈具有耐用的结构和高磁导率屏蔽，给7V电压的便携式电子产品充电时的效率超过75%。
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Vishay 接收线圈 IWAS-4832EC-50
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，强化其采用标准0402～1206外形尺寸的MC AT专业和精密系列车用薄膜片式电阻。Vishay Beyschlag器件是为了在汽车和工业应用等恶劣环境下提供稳定的性能而设计，具有低至±10ppm/K的TCR和1Ω～1MΩ的阻值。
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Vishay 电阻 MC AT
vishay介绍
威世（VISHAY）集团成立于1962年，总部位于美国宾夕法尼亚洲。40多年中威世集团通过科技创新和不断的并购, 迅速发展成为世界上最大的分离式半导体和无源电子器件制造商之一。目前集团已有69个制造基地遍布全球17个国家，其中中国大陆有7家制造业工厂分别坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集团被美国财富杂志评为半导体领域“2004、2005年度全美最让人钦佩的公司”。其产品被广泛地应用于工业、计算机 [
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