传输线脉冲(Transmission Line Pulse, TLP)
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-通过电压/电流曲线分析,深入了解静电放电防护组件(ESD Protection Device)之物理特性。
-在芯片制作完成之初,即能先预测产品之静电放电的承受能力,以增加产品的研发效率。
-重视HBM ESD pulse所造成的IC失效模式及电性行为。
Nomal TLP
TLP test model | TDR(Time Domain Reflection) |
Pulse Voltage | Max:+/-2000V(0.1V/step) |
Pulse Current | Max.40A |
Pulse Width | 100ns |
Pulse rise time | 200ps/2ns/10ns/20ns/50ns |
VF TLP
TLP test model | TDR(Time Domain Reflection) |
Pulse Voltage | Terminal Open: +/-1000V(0.1V/step) 50Ω load:+/-500V(0.2V/step) |
Pulse Current | Short:Max.20A, 50Ω load:Max. 10A |
Pulse Width | 1ns/2ns/3ns |
Pulse rise time | 200ps/2ns/10ns/20ns/50ns |
TLP测试系统
Latch-up测试
电性栓锁测试用来评价CMOS ICs对噪声或者瞬时的免疫程度 (Immunity of transient induced due to external noise or internal under/over-shoot)。栓锁效应是一种在CMOS、Bipolar或BiCMOS里p-n-p-n 4 层SCR架构的寄生电路(Parasitic circuit)n所造成的影响。
ESD/Latch-up保护电路设计
ESD /电性栓锁测试服务之外,平台同时提供ESD I/O库、ESD/电性栓锁电路设计咨询、以及客户电路布局的详细分析,由此协助客户的芯片或产品达到最佳的ESD/电性栓锁防护能力。
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