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三大原厂纷纷缩减旧制程产能，除三星电子已传宣布4月终止1y nm及1z nm制程的DDR4生产，美光亦通知客户停产服务器用旧制程DDR4模组，SK海力士据传也将DDR4产出比重降至20%。

法人认为，市场景气低迷，上游存储器厂加速产品迭代，降低单位成本以提升获利，同时将资源转向高带宽记忆体（HBM）及DDR5等高阶产品。

短期内内存价格受到关税备货与供给控制支撑，但整体环境不确定性高，未来基本面仍存隐忧。

三星已通知供应链，1y nm及1z nm制程的8GB LPDDR4内存将于2025年4月停止生产（EOL），要求客户于2025年6月前完成最后订单（LBO）。 多款8GB及16GB DDR4 SODIMM与UDIMM模组将停产，最后出货日期为2025-08-04。

法人预期，采用1y nm 16GB DDR4颗粒的OEM业者首当其冲，供应量将大幅减少; 内存模组厂虽仍可取得三星DDR4颗粒，但货源持续吃紧。

三星计划减少1y nm制程产出，2024年该制程占位元产出约20%，但2025年下半年比重将降至10%以下。

1z nm制程为2024年主力，占约30%，2025年将降至20%，预计2026年进入DDR4 EOL倒数，2027年全面停产。

同时，三星的1a nm及1b nm新制程产出比重将快速提升，1a nm为2025上半年主流，但2025年下半年1b nm制程将占第四季产出逾40%。

采用新制程的DDR5模块，将优先供应戴尔、惠普、华硕、宏碁等PC OEM客户，旧制程DDR4则继续供应消费性及模组客户。

记忆体模组厂因DDR4产出减少，采购颗粒不足，模组厂转向认证及采购南亚科及华邦电等中国台湾厂商，法人预期，2025年第二季合约价将上涨，主因原厂谨慎控制产能，加上美国关税政策反复，带动短期内器采购动能。

法人认为，客户提前拉货以应对不确定性，可能导致2025年下半年旺季不旺。

当前存储器厂商的策略为配合客户需求，增加美国库存，以降低未来风险。