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文中提出了一种宽电压输入、高效率、高调光比LED恒流驱动电路。在迟滞电流控制模式下，该电路具有结构简单、动态响应快、不需要补偿电路等优点。通过外部引脚，可以方便的进行LED开关、模拟调光和PWM调光。LED恒流驱动电路基于CSMC的1μm40VCDMOS工艺，采用HSPICE进行仿真验证，结果表明在8～30V输入电压范围内，电路输出电流最大可达1.2A，输出电流精度可控制在5.5%以内，电源效率可高达97%。

　　引言

　　随着LED技术的发展，大功率LED在灯光装饰和照明等领域得到了普遍的使用，同时功率型LED驱动芯片也显得越来越重要。由于LED的亮度输出与通过LED的电流成正比，为了保证各个LED亮度、色度的一致性，有必要设计一款恒流驱动器，使LED电流的大小尽可能一致。

　　基于LED发光特性，本文设计了一种宽电压输入、大电流、高调光比LED恒流驱动芯片。该芯片采用迟滞电流控制模式，可以用于驱动一颗或多颗串联LED。在6V~30V的宽输入电压范围内，通过对高端电流的采样来设置LED平均电流，芯片输出电流精度控制在5.5%，同时芯片可通过DIM引脚实现模拟调光和PWM调光，优化后的芯片响应速度可使芯片达到很高的调光比。

　　本文首先对整体电路进行了分析，接着介绍各个重要子模块的设计，最后给出了芯片的整体仿真波形、版图和结论。

　　电路系统原理

　　图1是芯片整体架构以及典型应用电路图。

　　该电路包括带隙基准、电压调整器、高端电流采样、迟滞比较器、功率管M1、PWM和模拟调光等模块。此外该芯片还内置欠压和过温保护电路，从而能在各种不利的条件下，有效的保证系统能够稳定的工作。

图1芯片整体等效架构图

　　从图1中可以看到电感L、电流采样电阻RS、续流二极管D1形成了一个自振荡的连续电感电流模式的恒流LED控制器。该芯片采用迟滞电流控制模式，因为LED驱动电流的变化就反应在RS两端的压差变化上，所以在电路正常工作时，通过采样电阻RS采样LED中的电流并将其转化成一定比例的采样电压VCS，然后VCS进入滞环比较器，通过与BIAS模块产生的偏置电压进行比较，产生PWM控制信号，再经栅驱动电路从而控制功率开关管的导通与关断。

　　下面具体分析电路的工作原理。首先芯片在设计时会内设两个电流阈值IMAX和IMIN。当电源VIN上电时，电感L和电流采样电阻RS的初始电流为零，LED电流也为零。这时候，CS_COMP迟滞比较器的输出为高，内置功率NMOS开关管M1导通，SW端的电位为低，流过LED的电流开始上升。电流通过电感L、电流采样电阻RS、LED和内部功率开关从VIN流到地，此时电流上升斜率由VIN、电感（L）、LED压降决定。当LED电流增大到预设值IMAX时，CS_COMP迟滞比较器的输出为低，此时功率开关管M1关闭，由于电感电流的连续性，此时电流以另一个下降斜率流过电感（L）、电流采样电阻（RS）、LED和续流肖特基二极管（D1），当电流下降到另外一个预定值IMIN时，功率开关重新打开，电源为电感L充电，LED电流又开始增大，当电流增大到IMAX时，控制电路关断功率管，重复上一个周期的动作，这样就完成了对LED电流的滞环控制，使得LED的平均电流恒定不变。　　从以上分析可知，LED的平均驱动电流是由内设的阈值IMAX和IMIN决定，因而不存在类似于峰值电流控制模式的反馈回路。所以与峰值电流控制模式相比，滞环电流控制模式具有自稳定性，不需要补偿电路，另外峰值电流检测模式动态响应调节一般需要几个周期的时间，而滞环电流控制至多一个周期就可以稳定系统的动态响应，所以滞环电流控制的动态响应更加迅速。当然滞环电流控制模式存在着输出纹波较大，变频控制容易产生变频噪声等缺点，但是在大功率LED照明驱动应用中，一定的纹波变化和开关频率变化不会对LED的整体照明性能产生较大影响。

　　电路子模块设计

　　1、带隙基准（Bandgap）

　　图2为采用共源共栅电流镜，可以改善电源抑制和初始精度的CMOS自偏置基准电路。其中，R1和PH4组成启动电路，当电源上电时，若电路出现零电流状态，此时VA为低，MOS管PH4开启，并向基准核心电路中注入电流，使得基准电路摆脱零简并偏置点，当电路正常工作时，通过合理的设置P7和P8的宽长比，使它们都处于深线性区，由于R2和R3阻值很大，此时VA的大小接近输入电压，MOS管PH4关断，启动结束。此外，由于VA的电压接近电源电压，通过电阻R2和R3的分压后，电压VB就能表征电源电压，从而在电源电压低于设定值时，输出欠压信号，关断功率管，起到欠压保护的功能。

图2带隙基准电压源电路图

　　由于基准电路的输入电压最高可达到30V，而普通MOS管漏源