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- 莱迪思半导体公司，低功耗可编程器件的领先供应商，近日宣布其低功耗莱迪思CertusPro?-NX FPGA将支持三菱电机的计算机数控控制器（CNC）解决方案，为客户带来高能效、高可靠性的工厂自动化体验。双方在东京举行的莱迪思亚太区技术峰会上宣布了该项合作，三菱电机作为主讲嘉宾参加了此次峰会。莱迪思亚太技术峰会于今天举行，莱迪思与三菱电机、德赛、Furukawa AS、Glory LTD、LIPS和恩智浦等行业领导者以及亚太地区的150多家客户和合作伙伴共同展示了公司最新的低功耗FPGA技术。三菱电机业界领
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莱迪思 三菱电机 工业自动化 FPGA
- 本文详细介绍了SiC MOSFET的动态特性。包括阈值电压特性、开通和关断特性以及体二极管的反向恢复特性。此外，还应注意测试波形的准确性。1. 阈值电压特性SiC MOSFET的阈值电压（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低阈值电压可降低SiC MOSFET的通态电阻。驱动SiC MOSFET需要对栅极施加负偏压，并仔细设计控制电路布线，这是为了防止噪声干扰引起的故障。此外，阈值电压随着温度升高而降低（图1），因此建议在高温运行期间检查是否有异常。图1：SiC MOSFET（FMF600
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三菱电机
- 商用的Si MOSFET耐压普遍不超过900V，而SiC拥有更高的击穿场强，在结构上可以减少芯片的厚度，从而较大幅度地降低MOSFET的通态电阻，使其耐压可以提高到几千伏甚至更高。本文带你了解其静态特性。1. 正向特性图1显示了SiC MOSFET的正向通态特性。由于MOSFET是单极性器件，没有内建电势，所以在低电流区域，SiC MOSFET的通态压降明显低于Si IGBT的通态压降；在接近额定电流时，SiC MOSFET的通态压降几乎与Si IGBT相同。对于经常以低于额定电流工作的应用，使用SiC
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- SiC SBD具有高耐压、快恢复速度、低损耗和低漏电流等优点，可降低电力电子系统的损耗并显著提高效率。适合高频电源、新能源发电及新能源汽车等多种应用，本文介绍SiC SBD的静态特性和动态特性。SBD（肖特基势垒二极管）是一种利用金属和半导体接触，在接触处形成势垒，具有整流功能的器件。Si SBD耐压一般在200V以下，而耐压在600V以上的SiC SBD产品已广泛产品化。SiC SBD的某些产品具有3300V的耐压。半导体器件的击穿电压与半导体漂移层的厚度成正比，因此为了提高耐压，必须增加器件的厚度。而
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三菱电机 SiC SBD
- 2月28日消息，据日经新闻报道，日本三菱电机将针对工业机器人等工厂自动化业务调整中国的供应链。将减少从日本进口产品和零部件，携手中国当地企业，采购低价位产品。公司首席财务官增田邦昭表示，“目前在中国市场（从日本等地）进口产品进行销售，但以后将仅通过中国国内采购来满足需求”；公司计划在2025财年（截至2026年3月）讨论相关合作，包括向工厂自动化相关的中国企业出资等。三菱电机还计划通过与当地企业合作扩充产品阵容，便于满足客户的多样化需求。增田表示“人工智能（AI）相关的投资非常坚挺，希望能够不断切实获得订
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三菱电机 机器人 自动化 供应链
- 栅极氧化层可靠性是SiC器件应用的一个关注点。本节介绍SiC栅极绝缘层加工工艺，重点介绍其与Si的不同之处。SiC可以通过与Si类似的热氧化过程，在晶圆表面形成优质的SiO2绝缘膜。这在制造SiC器件方面具有非常大的优势。在平面栅SiC MOSFET中，这种热氧化形成的SiO2通常被用作栅极绝缘膜，并已实现产品化。然而，SiC的热氧化与Si的热氧化存在一些差异，在将热氧化工艺应用于SiC器件时必须考虑到这一点。首先，与Si相比，SiC的热氧化速率低。因此，该过程需要很长时间，而且还需要高温。在SiC的热氧
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三菱电机 SiC 栅极绝缘层
- 离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入，可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简要介绍离子注入工艺及其注意事项。SiC的杂质原子扩散系数非常小，因此无法利用热扩散工艺制造施主和受主等掺杂原子的器件结构（形成pn结）。因此，SiC器件的制造采用了基于离子注入工艺的掺杂技术：在SiC中进行离子注入时，对于n型区域通常使用氮（N）或磷（P），这是容易低电阻化的施主元素，而对于p型区域则通常使用铝（Al）作为受主元素。另外，用于Al离子注入的原料通常是固体，要稳定地进行高浓度的Al离子注入，需
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三菱电机 SiC
- 摘要本文介绍了为工业应用设计的第8代1800A/1200V IGBT功率模块，该功率模块采用了先进的第8代IGBT和二极管。与传统功率模块相比，该模块采用了分段式栅极沟槽（SDA）结构，并通过可以控制载流子的等离子体层（CPL）结构减少芯片厚度，从而显著的降低了功率损耗。特别是，在开通dv/dt与传统模块相同的情况下，SDA结构可将Eon降低约60%，通过大幅降低功率损耗，模块可以提高功率密度。通过采用这些技术并扩大芯片面积，第8代1200V IGBT功率模块在相同的三菱电机LV100封装中实现了1800
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- 与Si材料相比，SiC半导体材料在物理特性上优势明显，比如击穿电场强度高、耐高温、热传导性好等，使其适合于制造高耐压、低损耗功率器件。本篇章带你详细了解SiC材料的物理特性。SiC作为半导体功率器件材料，具有许多优异的特性。4H-SiC与Si、GaN的物理特性对比见表1。与Si相比，4H-SiC拥有10倍的击穿电场强度，可实现高耐压。与另一种宽禁带半导体GaN相比，物理特性相似，但在p型器件导通控制和热氧化工艺形成栅极氧化膜方面存在较大差异，4H-SiC在多用途功率MOS晶体管的制备方面具有优势。此外，由
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三菱电机 SiC
- SiC晶体中存在各种缺陷，对SiC器件性能有直接的影响。研究清楚各类缺陷的构成和生长机制非常重要。本文带你了解SiC的晶体缺陷及其如何影响SiC器件特性。在SiC晶体中存在各种缺陷，其中一些会影响器件的特性。SiC缺陷的主要类型包括微管、晶界、多型夹杂物、碳夹杂物等大型缺陷、以及堆垛层错（SF）、以及刃位错（TED）、螺旋位错（TSD）、基面位错（BPD）和这些复合体的混合位错。就密度而言，最近质量相对较好的SiC晶体中，微管是1?10个/cm2，位错的密度约为103～10?长达个/cm2。至今，与Si相
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三菱电机 SiC
- 三菱电机从事SiC器件开发和应用研究已有近30年的历史，从基础研究、应用研究到批量商业化，从2英寸、4英寸晶圆到6英寸晶圆，三菱电机一直致力于开发和应用高性能、高可靠性且高性价比的SiC器件，本篇章带你了解三菱电机SiC器件发展史。三菱电机从上世纪90年代已经开始启动SiC相关的研发工作。最初阶段，SiC晶体的品质并不理想，适合SiC的器件结构和制造工艺仍处于探索阶段，但研发人员坚信SiC MOSFET是能够最大限度发挥SiC材料优异物理性能的器件，因此一直致力于相关研发。三菱电机于2003年开发出耐压2
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- 11月，日本三菱电机、安世半导体（Nexperia）宣布，将联合开发高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立产品功率半导体。双方将联手开发，将促进SiC宽禁带半导体的能效和性能提升至新高度，同时满足对高效分立式功率半导体快速增长的需求。目前芯片供应量尚未确认，预计最早将于2023年内开始供应。公开消息显示，安世半导体总部位于荷兰，目前是中国闻泰科技的子公司。11月初，安世半导体被迫转手出售其于2021年收购的英国NWF晶圆厂。尽管同属功率半导体公司，三菱电机与安世半导体的侧重点不同，前者以“多个离散元件组合
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- Nexperia近日宣布与三菱电机公司建立战略合作伙伴关系，共同开发碳化硅(SiC) MOSFET分立产品。Nexperia和三菱电机都是各自行业领域的领军企业，双方联手开发，将促进SiC宽禁带半导体的能效和性能提升至新高度，同时满足对高效分立式功率半导体快速增长的需求。三菱电机的功率半导体产品有助于客户在汽车、家用电器、工业设备和牵引电机等众多领域实现大幅节能。该公司提供的高性能SiC模块产品性能可靠，在业界享有盛誉。日本备受赞誉的高速新干线列车采用了这些模块，并以出色的效率、安全性和可靠性闻名遐迩。N
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- 三菱电机将与Nexperia（安世）合力开发SiC芯片，通过SiC功率模块来积累相关技术经验。东京--(美国商业资讯)--三菱电机株式会社(Mitsubishi Electric Corporation，TOKYO: 6503)今天宣布，将与Nexperia B.V.建立战略合作伙伴关系，共同开发面向电力电子市场的碳化硅(SiC)功率半导体。三菱电机将利用其宽带隙半导体技术开发并提供SiC MOSFET芯片，Nexperia将使用这些芯片开发SiC分离器件。电动汽车市场正在全球范围内扩大，并有助于推动Si
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- Denso和三菱电机宣布将分别投资5亿美元，入股Coherent的碳化硅（SiC）业务子公司。据外媒，日本电装株式会社(Denso)和三菱电机宣布，将分别投资5亿美元，入股美国半导体材料、网络及激光供应商Coherent的碳化硅（SiC）业务子公司Silicon Carbide，并分别取得12.5%股权（两家日企合计取得25%股权）。据悉，Silicon Carbide主要从事SiC晶圆等产品的制造，是于2023年4月从Coherent公司分拆出来设立的SiC业务子公司。Denso与三菱电机将向该公司采购
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