文教--江西频道--人民网
拓墣产业研究院最新报告指出，第三代半导体产业竞争日益激烈，氮化镓（GaN）功率元件凭借其高频、高功率特性，在5G/6G基地台、航空航天、AI运算等应用领域快速崛起。拓墣预估，2025年全球GaN功率半导体市场规模将达7.5亿美元，年增率高达62.7%，至2030年将扩大至43.8亿美元，年复合成长率（CAGR）达42.3%。GaN组件具备优异电性能与高可靠性，除了主流通讯以及工业应用外，也加速渗透至智慧城市、无线充电与医疗设备等新兴场景。随中国大陆等地积极推动产业自主，全球GaN供应链本土化进程加速，各国
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第三代半导体 GaN 拓墣产业研究院 SiC
随着人工智能（AI）快速发展与万物电气化进程加速，市场对更高的电源效率与可靠性的需求持续增长。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日宣布与全球电源管理与智能绿色解决方案领导者台达电子工业股份有限公司（Delta Electronics, Inc.）（以下简称“台达电子”）签署全新合作协议。双方将携手在台达设计中应用Microchip的mSiC?产品与技术，通过双方合作加速创新型碳化硅（SiC）解决方案、节能产品及系统的开发，助力构建更可持续的未来。Microchip负责高功
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Microchip 台达 碳化硅 SiC 电源管理
NCP51752是隔离单通道栅极驱动器系列,源极和吸收峰电流分别为+4.5
A/-9A。 它们设计用于快速切换以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。
NCP51752提供短而匹配的传播延迟。为了提高可靠性、dV/dt免疫力，甚至更快地关闭，NCP51752具有嵌入式负偏置轨机制在GND2和VEE引脚之间。 本用户指南支持NCP51752的评估板。 它应该与NCP51752数据表以及onsemi的应用说明和技术支持团队一起使用。 本文档描述了孤立单体的拟
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onsemi NCP51752 隔离式 SiC MOSFET 闸极驱动器 评估板
瑞萨电子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平台，该平台具有适用于高功率应用的 650 V、30 毫欧姆氮化镓器件。此次发布代表了该公司在收购 Transphorm 并与其控制器和驱动器 IC 产品线集成后对 GaN 技术的持续投资。与之前的 35 毫欧姆器件相比，Gen 4+ 平台的 RDS（on） 和芯片尺寸减小了 14%，直接降低了成本。开关品质因数提高了 50%，而输出品质因数提高了 20% 以上。在比较测试中，瑞萨电子在 4 kW 电源应用中的损耗比领先的碳化硅 MOSFET 和 JF
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650V GaN 器件 高功率应用 SiC
6月25日，香港特区政府创新科技局辖下创新科技署宣布，Jizcube Semiconductor （Hong Kong） Limited提交的「新工业加速计划」申请已获得评审委员会批准。获批项目涉及在香港兴建宽禁带半导体碳化硅 （SiC） 晶圆制造设施。项目总预算超过 7 亿港元，将获得 2 亿港元的「新产业加速计划」资助。这笔资金预计将大大提升香港的先进半导体制造能力，并加速其在宽禁带半导体领域的发展。Jizcube 于 2023 年 10 月在香港注册成立，并于 2024 年 6 月正式开始运营，同时
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香港 8英寸 SiC 晶圆厂
在减少排放和实现净零目标的前进道路上，碳化硅技术将在可持续发展应用中发挥关键作用。这些应用可以通过在系统中添加电力电子器件（例如电机驱动器）或增强现有系统中的电力电子器件以达到更高的电压并提高效率。随着越来越多的应用集成电气系统，对电路保护的需求至关重要。维修或更换组件的成本可能很高，因此设计人员正在实施更强大的电路保护方法。仅限于保护线路的电路中断装置对于敏感的电子负载已不再足够。电子电路中断解决方案（例如电子熔丝）可以保护线路并限制传输到故障负载的短路允通电流和能量，从而可以防止负载自身损坏。传统电路
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SiC 熔丝保护
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特别适用于需要大电流处理能力和较低开关速度的应用，如固态断路器和大电流开关系统。得益于碳化硅（SiC）优异的材料特性和 JFET 的高效结构，可实现更低的导通电阻和更佳的热性能，非常适合需要多个器件并联以高效管理大电流负载的应用场景。SiC Combo JFET 技术概览对于需要常关器件的应用，可以将低压硅（Si） MOSFET与常开碳化硅（SiC） JFET串联使用，以创建共源共栅（cascode）结构。在这种设置中，SiC JFET负责处理
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安森美 SiC Combo JFET
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特别适用于需要大电流处理能力和较低开关速度的应用，如固态断路器和大电流开关系统。得益于碳化硅（SiC）优异的材料特性和 JFET 的高效结构，可实现更低的导通电阻和更佳的热性能，非常适合需要多个器件并联以高效管理大电流负载的应用场景。SiC Combo JFET技术概览对于需要常关器件的应用，可以将低压硅（Si） MOSFET与常开碳化硅（SiC） JFET串联使用，以创建共源共栅（cascode）结构。在这种设置中，SiC JFET负责处理高
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SiC Combo JFET 安森美
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块，已应用于丰田汽车公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下简称“丰田”）面向中国市场的全新跨界纯电动汽车（BEV)“bZ5”的牵引逆变器中。“bZ5”作为丰田与比亚迪丰田电动车科技有限公司（以下简称“BTET”）、一汽丰田汽车有限公司（以下简称“一汽丰田”）联合开发的跨界纯电动汽车，由一汽丰田于2025年6月正式发售。此次采用的功率模块由罗姆与正海集团的合资企业——上海海姆希科
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罗姆 SiC MOSFET 丰田 纯电车型
在10kW-50kW中高功率应用领域，SiC MOSFET分立器件与功率模块呈现并存趋势。分立方案凭借更高设计自由度和灵活并联扩容能力突围——当单管功率不足时，只需并联一颗MOSFET即可实现功率跃升，为工业电源、新能源系统提供模块之外的革新选择。然而，功率并非是选用并联MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并联还可以降低开关能耗，改善导热性能。考虑到热效应对导通损耗的影响，并联功率开关管是降低损耗、改善散热性能和提高输出功率的有效办法。然而，并非所有器件都适合并联， 因为参数差异会影响均流特性。本文
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意法半导体 SiC MOSFET
就在去年，「抢占 SiC，谁是电动汽车市场的赢家？」「第三代半导体，来势汹汹」「碳化硅:渗透新能源车半壁江山 第三代半导体百亿级市场拉开帷幕」……这样的形容是 SiC 的专属标签，市场利好，一片光明。好景没有一直延续下去。「消息称 2025 年中国 SiC 芯片价格将下降高达 30%」「SiC 价格跳水, 开启下半场战役」……新能源车爆火，那 SiC 怎么了？核心矛盾：需求增长 VS 产能狂飙根据预测 2025 年全球 SiC 衬底产能预计达 400 万片，需求预测仅 250 万片。从需求侧来看
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SiC
在功率半导体领域，碳化硅（SiC）MOSFET因其低功耗、高临界电场强度和优异的热导率，被广泛应用于新能源汽车、智能电网和轨道交通等高压高频场景。然而，如何在确保击穿电压（BV）的同时优化导通电阻（Ron），一直是行业亟待解决的难题。近日，复旦大学研究团队在这一领域取得重要突破。据复旦大学研究团队透露，他们基于电荷平衡理论，通过对离子注入工艺的深度优化，成功设计并制备出正交结构和平行结构两种布局的1.7kV 4H-SiC电荷平衡辅助SiC MOSFET器件。实验数据显示，这两种新型器件在维持约2.0kV击
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复旦大学 SiC MOSFET器件
安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共栅场效应晶体管）在硬开关和软开关应用中有诸多优势，本文将重点介绍Cascode结构。Cascode简介碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其他竞争技术具有一些显著的优势，特别是在给定芯片面积下的低导通电阻（称为RDS.A）。为了实现最低的RDS.A，需要权衡的一点是其常开特性，这意味着如果没有栅源电压，或者JFET的栅极处于悬空状态，那么JFET将完全导通。然而，开关模式在应用中通常需要常关状态。因此，将SiC JFET与低电压硅M
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SiC 共源共栅 cascode 安森美
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，该模型提升了收敛性和仿真速度。功率半导体的损耗对系统整体效率有重大影响，因此在设计阶段的仿真验证中，模型的精度至关重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通过提高每种特性的复现性，满足了高精度仿真的需求。然而另一方面，该模型存在仿真收敛性问题和运算时间较长等问题，亟待改进。新模型“ROHM Level 3（L3）”通过采用简化的模型
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ROHM SPICE模型 ROHM Level 3 SiC MOSFET模型
安森美推出了具有卓越 R DS（on） *A 性能的 SiC JFET。 该器件特别适用于需要大电流处理能力和较低开关速度的应用，如固态断路器和大电流开关系统。得益于碳化硅（SiC）优异的材料特性和 JFET 的高效结构，可实现更低的导通电阻和更佳的热性能，非常适合需要多个器件并联以高效管理大电流负载的应用场景。本文为第一部分，将介绍SiC Combo JFET 技术概览、产品介绍等。SiC Combo JFET 技术概览对于需要常关器件的应用，可以将低压硅（Si） MOSFET与常开
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安森美 SiC Combo JFET
sic介绍
SiC是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或β－SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目；另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有6H、4H、15R等，统称为α－SiC。与Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境，并具有极好的抗辐射性能.
Si [
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