哈登突破欧洲步上篮，威少三分回应(雷霆vs火箭)
存储技术未来会是什么样的选择方向和创新的趋势呢？NRAM原理大揭秘在固态硬盘问世之初，外界对其稳定性曾经有过严重的担忧。经过证明，固态硬盘的稳定性要比我们所想的更高，寿命基本可以达到10年以上。
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NRAM 存储
富士通电子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型号为MB85RS4MTY的4Mbit FRAM，其容量达到FRAM产品最高水平，运作温度最高可达125℃。目前可为客户提供评测版样品。这款全新FRAM是非易失性内存产品，在125℃高温环境下可以达到10兆次读/写次数，工作电流低，是工业机器人和高级驾驶辅助系统（ADAS）等汽车应用的最佳选择。FRAM的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于EEPROM和闪存，并已量产20多年，近年来广泛用于可穿戴设备、工业机器人和无人机。自去年发布以来，2Mbit FRAM M
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FRAM DFN ADAS
随着新能源汽车产业和自动驾驶技术的推广，汽车半导体市场正迎来黄金发展时期。有资料显示，对于 L1 到 L5 等级的自动驾驶而言，在 L1 时自动驾驶的半导体成本只有约 150 美金，到 L3 等级提升至 600 美金，上升到 L4、L5 等级，整车的半导体成本将会达到 1200 美金。而这个快速增长的市场中，存储产品和技术并不为主流媒体关注。富士通电子元器件(上海)有限公司产品管理部总监冯逸新也在近日的一次活动中表示：“随着新基建的部署，充电桩的普及将快速促进新能源汽车的普及，无论是桩侧还是车侧，未来都将
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FRAM VCU
富士通电子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型号为MB85RS2MTY的SPI 2Mbit FRAM?注1?。此款容量最高的FRAM产品能在高达摄氏125度的高温下正常运作，其评测样品（evaluation sample）现已开始供应。?此款FRAM非易失性内存在运作温度范围内能保证10兆次读 / 写次数，并支持实时记录像驾驶数据或定位数据等，这类需要持续且频繁的数据记录。由于该内存属于非易失性，并且具有高速写入特点，即使遇到突然断电的状况，写入的数据也能完整保留不会遗失。
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IC FRAM EEPROM SPI
富士通电子元器件（上海）有限公司今日宣布，推出业内最高密度8Mbit ReRAM(?注1?)---“MB85AS8MT”，此款ReRAM量产产品由富士通与松下电器半导体(Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.)(?注2?)合作开发，将于今年9月开始供货。MB85AS8MT是采用SPI接口并与带电可擦可编程只读存储器 (EEPROM) 兼容的非挥发性内存，能在1.6至3.6伏特之间的广泛电压范围运作。其一大特色是极低的平均
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FRAM EEPROM SOP
距离中国首次提出泛在电力物联网的概念刚过去一年，通过升级电网基础设施，以大数据、云计算、5G、边缘计算等技术实现传统电网向能源互联网升级，将随着承担“拉动经济”重任的“新基建”而加速，泛在电力物联网在电力系统基础建设中的重要性不言而喻。而作为电力网络化数据采集的唯一设备，智能电表是用户侧泛在电力物联网的基础，智能电表的技术创新可以说从根本上影响着泛在电力物联网行业的发展。针对这波大规模的市场热潮，富士通电子元器件(上海)有限公司产品管理部总监冯逸新近日在一次研讨会上也表示：“智能表计作为富士通长期关注的重
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新基建 RFID NRAM
●? ?简介●? ?FRAM的优势●? ?产品列表●? ?FRAM产品阵列简介FRAM是集合了ROM和RAM两种存储器的优势。擅于进行高速写入、具有长的耐久力和低功耗。富士通半导体提供了采用串行（I2C和SPI）和并行外设的FRAM产品，目前4Kb至4Mb的产品也已量产。?富士通正在为客户评估提供工程研发样品或生产样品。请确认我们的?FRAM产品阵列?，如果您想获得样品 ，请填写“FRAM样品/文
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FRAM SPI
FRAM（铁电存储器）具有像E2PROM一样的非易失性的优势 ，在没有电源的情况下可以保存数据，用于数据存储。FRAM具有两个产品系列，串行接口（I2C，SPI）和并行接口产品。采用串行I/F的FRAM可以用E2PROM或串行闪存来代替，而采用并行I/F的产品可以用低功耗SRAM或Pseudo SRAM (PSRAM)来代替。富士通半导体集团控制着FRAM的整个生产程序；在日本的芯片开发和量产及组装程序。富士通公司保证了FRAM产品的高质量和稳定供应。自从1999年开始，FRAM产品已经连续供应12年以上
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FRAM SPRAM
富士通电子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型号为MB85RS2MLY的全新2Mbit FRAM，可在125℃高温度下正常运行。该器件工作电压可低至1.7V至1.95V，配有串行外设接口（SPI）。目前可为客户提供评测版样品，将在6月实现量产。这款全新FRAM产品是汽车电子电控单元的最佳选择，满足高端汽车市场对低功耗电子器件的需求，如ADAS。图1：MB85RS2MLY 8pin DFN 封装图2：应用实例（ADAS）FRAM的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于EEPROM和闪存，已有对传统非易失性内存
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ADAS FRAM
全球内存市场几年前价格疯涨对于IT产业业者大概仍然心有余悸！随着这场“芯片战争”的硝烟而起的是，中国存储行业海量投资的相关产线纷纷上马，并预计在今年逐渐开花结果，即将可能形成中美韩三国争霸的局面，存储产业未来的风云变幻也将更加风谲云诡。特别是随着5G部署落地、人工智能、大数据和物联网的普及，数据存储已经进入长期向上稳定增长的通道。根据预测，2023年人类数据的产生将会超过103个ZB(数据单位量级GB\TB\PB\EB\ZB)！?在存储技术领域，低容量密度的嵌入式系统关键数据存储一直似乎风平浪静
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FRAM 存储
过去十年，智能电表大范围替代传统电表的产业转变，成为工业物联网高速发展的一个缩影。中商产业研究院相关报告指出，预计2021年全球智能电表市场营收规模将达142.2亿美元，与2016年的88.4亿美元、2017年的97.2亿美元相比，年均复合增长率约10%。而Navigant Research研究报告指出，中国在2018年第一季度持续引领全球智能电表市场，安装量超过4.96亿台，占全球总量的68.4%，并正在向下一代智能电表发展。图1：中商产业研究院预测2021年全球智能电表市场营收规模由此看来，中国智能电
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富士通 FRAM+NRAM 计量存储技术
市场经济下每一个技术领域的竞争都是一场丛林法则的生动演绎。随着物联网和大数据等新兴应用的爆发增长，存储器领域的丛林法则年年都在上演“生动”的故事。不过，在存储领域却有一种技术过着一种与“主流”无争的日子，在嵌入式系统关键数据存储领域默默耕耘二十年，凭借高读写耐久性、高速写入和超低功耗的独特特质，近年来在Kbit和Mbit级小规模数据存储领域开始风生水起，在各种应用领域频频“露脸”并大有斩获，这就是铁电存储器FRAM。 FRAM的非易失性对于当时业界可以说是颠覆性的，存储器的非易失性指在没有上电的状态
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富士通 FRAM
过去十年，随着新能源汽车与自动驾驶的兴起，汽车产业70%的创新来源于汽车电子技术及其产品的开发应用。 IC
Insights数据显示，预计2018年汽车电子的销售额将增长7.0%，2019年将增长6.3%，成为六大半导体目标市场中两年来的最高增长率。值得注意的是，汽车特殊用途逻辑类别预计2018年增长29%，汽车应用专用模拟市场增长14%——作为备用摄像头、盲点(车道偏离)探测器和其他“智能”系统被强制或以其他方式添加到更多车辆中。同时，存储器在车辆中使用的新汽车系统解决方案的开发中越来越重要。
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富士通 FRAM
汽车系统的设计变得越来越复杂，因为要不断的加入新的功能，如高级驾驶辅助，图形仪表，车身控制和车辆信息娱乐系统。为了确保可靠、安全的操作，每个子系统均需要使用特定的非易失性存储器，以便在复位操作和电源切换期间存储信息。非易失性存储器用于存储可执行代码或常量数据、校准数据、安全性能和防护安全相关信息等重要数据，以作将来检索用途。 目前市场上主要包含这几种不同类型的非易失性存储器，如NOR 闪存、NAND 闪存、EEPROM(可擦除的可编程只读存储器)、FRAM(铁电存储器)，MRAM
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MRAM FRAM
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