俄大使不满英国在俄邻国部署军队 指责英国“挑衅”
多年来，各大厂商多年来孜孜不倦地追求闪存更高层数和内存更先进制程。现代社会已经进入大数据、物联网时代——一方面，数据呈爆炸式增长，芯片就必须需要具备巨大的计算能力 ；另一方面，依据传统摩尔定律微缩的半导体技术所面临的挑战越来越大、需要的成本越来越高、实现的性能提高也趋于放缓。应用材料公司金属沉积产品事业部全球产品经理周春明博士说：「DRAM、SRAM、NAND 这些传统的存储器，已经有几十年历史了，它们还在一直在向前发展，不断更新换代，尺寸越来越小，成本越来越低，性能越来越强。」但是已经开始出现无法超越的
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MRAM ReRAM PCRAM
富士通电子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出业界最高密度4 Mbit ReRAM（可变电阻式存储器）（注1）产品MB85AS4MT。此产品为富士通半导体与松下电器半导体（注2）合作开发的首款ReRAM存储器产品。ReRAM是基于电阻式随机存取的一种非易失性存储器，此产品可将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身，同时具备更低的功耗及更快的读写速度。ReRAM作为存储器前沿技术，未来预期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的优势。ReRAM存储芯片的能耗可达到闪存的1/20
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合作 ReRAM 半导体
莫斯科物理技术学院(MIPT)宣称成功为ReRAM开发出新的制程，可望为其实现适于3D堆叠的薄膜技术… 可变电阻式随机存取存储器(ReRAM)是一种可望取代其他各种储存类型的“通用”存储器，不仅提供了随机存取存储器(RAM)的速度，又兼具快闪存储器(flash)的密度与非挥发性。然而目前，flash由于抢先进入3D时代而较ReRAM更胜一筹。 如今，莫斯科物理技术学院(Moscow Institute of Physics and Technolo
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ReRAM 存储器
比NAND闪存更快千倍 40纳米ReRAM在中芯国际投产引起业界关注!曾经一度大举退出内存生产的中芯国际，为何锁定瞄准ReRAM?主要原因在于ReRAM应用在物联网(IoT)装置拥有愈长的电池续航力，一来可节省维护成本、二来有助提高物联网基础设施可持续性。
现阶段业界也在寻找可大幅降低物联网装置能源消耗的办法，为此业界发现物联网芯片中内嵌“可变电阻式内存”(ReRAM)，有助达成此一节能目标。
据报导，若要达到物联网应用的能源采用要求，需要导入各式节能策略，即使多数
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中芯国际 ReRAM
非挥发性电阻式内存(ReRAM)开发商CrossbarInc.利用非导电的银离子-非晶硅(a-Si)为基板材料，并透过电场转换机制，开发出号称比NAND闪存更快千倍速度的ReRAM组件，同时就像先前在2016年所承诺地如期实现量产。
根据Crossbar策略营销与业务发展副总裁SylvainDubois表示，专为嵌入式非挥发性内存(eNVM)应用而打造的CrossbarReRAM提供了更高性能，密度比DRAM更高40倍，耐久度与写入速度更高1，000倍，单芯片尺寸约200mm2左右，即可实现高达
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NAND ReRAM
中芯未来几年的扩产布局，可谓遍地开花，包括在北京、上海、深圳、宁波以及杭州等地，都有新的12寸晶圆厂投资计划，虽然部分投资案目前仅止于土地取得、尚未装置机台的阶段，但可看出中芯旺盛的企图心。
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中芯国际 ReRAM
目前在下一代存储芯片的研发当中，除了3D XPoint芯片外还有ReRAM芯片(非易失性阻变式存储器)。2016年3月，Crossbar公司宣布与中芯国际达成合作，发力中国市场。其中，中芯国际将采用自家的40nm CMOS试产ReRAM芯片。近日，两者合作的结晶终于诞生，中芯国际正式出样40nm工艺的ReRAM芯片。
据介绍，这种芯片比NAND芯片性能更强，密度比DRAM内存高40倍，读取速度快100倍，写入速度快1000倍，耐久度高1000倍，单芯片(200mm2左右)即可实现TB级存储，还具
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中芯国际 ReRAM
富士通电子元器件(上海)有限公司今天宣布，推出业界最高密度4 Mbit ReRAM(可变电阻式存储器)(注1)产品MB85AS4MT。此产品为富士通半导体与松下电器半导体(注2)合作开发的首款ReRAM存储器产品。
ReRAM是基于电阻式随机存取的一种非易失性存储器，此产品可将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身，同时具备更低的功耗及更快的读写速度。ReRAM作为存储器前沿技术，未来预期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的优势。ReRAM存储芯片的能耗可达到闪
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富士通 ReRAM
可变电阻式ReRAM 作为新的存储技术，从研发到商用总是要历经漫长的艰难坎坷。现在ReRAM芯片的研制已经初见成效，日前索尼和Micron就联手公布了他们的最新研究成果，称他们试制的产品在性能上已经非常接近理论数据。
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索尼和Micron联手公布的是一款容量为16Gb(2GB)的ReRAM芯片，据称这款芯片基于27nm CMOS工艺打造，可以用于替换现有的DDR SDRAM芯片，可用于移动设备或者是PC上。
按照公布的信息称，索尼和Micron联手公布的这颗芯片实
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索尼 Micron ReRAM
固态硬盘供应商SanDisk正在研发一种新型的系统存储器，未来也许能一举替代内存和硬盘。 ReRAM代表电阻式RAM，将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身。换句话说，关闭电源后存储器仍能记住数据。如果ReRAM有足够大的空间，一台配备ReRAM的PC将不需要载入时间。ReRAM基于忆阻器原理，致力于商业化ReRAM的企业包括惠普、Elpida、索尼、松下、美光、海力士等等。
基础电子学教科书列出三个基本的被动电路元件：电阻器、电容器和电感器;电路的四大基本变量则是电流、电压、电荷和磁
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惠普 内存 ReRAM
继Hynix(海力士)和HP(惠普)宣布合作开发新世代内存ReRAM技术和材料，Elpida(尔必达)与Sharp(夏普)亦宣布共同研发ReRAM，让次世代内存技术研发掀起跨领域结盟热潮。内存业者预期，未来ReRAM、3D NAND Flash、PRAM(相变化内存)和MRAM(磁性随机存取内存)等次世代内存，将会有一番激烈竞争。
值得注意的是，海力士与惠普日前才宣布要共同开发ReRAM技术，惠普具有新的极小电子组件(Memory resistors;Memristors)技术，采用十字结构，相
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内存 ReRAM
继海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作开发新世代内存ReRAM(Resistive Random-Access Memory)技术和材料，尔必达(Elpida)与夏普(Sharp)亦宣布共同研发ReRAM，让次世代内存技术研发掀起跨领域结盟热潮，内存业者预期，未来ReRAM、3D NAND Flash、相变化内存(Phase Change RAM;PRAM)和磁性随机存取内存(Magnetic RAM;MRAM)等次世代内存，将会有一番激烈竞争。
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尔必达 ReRAM 次世代内存
日经新闻报道，夏普正与尔必达联手开发下一代ReRAM可变电阻式闪存芯片，预计在2013年实现量产。
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夏普 闪存芯片 ReRAM
reram介绍
日本富士通的川崎实验室透露,他们研发除了一种新型的非挥发ReRAM(电阻式记忆体),能提供更低的功耗.
包含钛镍氧化物结构的ReRAM,在刷写时只需要100mA的电流甚至更少,相比传统ReRAM,研究人员还降低了90%的波动电阻值,这一技术指标在反复高速写入和擦除时会影响产品质量和寿命.
新的技术可以更快地完成存取,5毫秒内存取10000次.
这种ReRAM未来可以替代目前的 [
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