随着全球对能源可持续性与安全性的关注升温，住宅太阳能储能系统需求持续攀升。当前市场上，2kW级微型逆变器已实现集成储能功能，而更高功率场景则需依赖串式逆变器或混合串式逆变器。本文聚焦基于TI GaN FET的10kW单相串式逆变器设计，探讨其技术优势与核心设计要点，为住宅太阳能应用提供高能效、高密度的解决方案参考。混合串式逆变器架构：从模块到系统典型的混合串式逆变器通过稳压直流母线互联各功能模块（图1），核心子系统包括：●单向DC/DC转换器：执行光伏最大功率点跟踪（MPPT），优化能量捕获；●双向DC/
随着对 GaN 半导体的需求持续增长，Infineon Technologies AG 已准备好利用这一趋势，巩固其作为 GaN 市场领先集成器件制造商 （IDM） 的地位。今天，该公司宣布其在 300 毫米晶圆上的可扩展 GaN 制造正在按计划进行。随着 2025 年第四季度向客户提供第一批样品，该公司已做好充分准备来扩大其客户群并巩固其作为领先 GaN 巨头的地位。作为电力系统的领导者，该公司掌握了所有三种相关材料：Si、SiC 和 GaN。GaN 半导体具有更高的功率密度、更快的开关速度和更低的功率
虽然台积电计划到 2027 年退出氮化镓 （GaN） 晶圆代工业务，但行业巨头英飞凌正在加大努力，这标志着 GaN 领域的重大转变。哪些因素可能推动了这些不同的策略？根据《科创板日报》的报道，中国英诺赛科董事会主席罗伟伟解释说，氮化镓晶圆生产可能不太适合传统的代工模式。为什么 GaN 不适合代工模型正如报告中所引用的，Luo 解释说，传统的功率半导体器件结构相对简单，不会对代工服务产生强劲的需求。特别是对于 GaN 功率器件，这种模型没有提供足够的投资回报 （ROI），并且缺乏代工厂与其客户之间通常看到的
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和服务器电源（包括新型800V高压直流架构）、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。此类第四代增强型（Gen IV Plus）产品专为多千瓦级应用设计，将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合，显著降低开关功率损耗，同时保留硅基FET的操作简便性。新产品提供TOL
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和服务器电源（包括新型800V高压直流架构）、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。此类第四代增强型（Gen IV Plus）产品专为多千瓦级应用设计，将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合，显著降低开关功率损耗，同时保留硅基FET的操作简便性。新产品提供TOLT、TO-247和T
EPC Space 推出了 EPC7030MSH，这是一款 300 V 抗辐射 GaN FET。该解决方案提供高功率电流额定值，为卫星电源和推进应用树立了新的基准。EPC7030MSH随着卫星制造商过渡到更高电压的电源总线和更苛刻的功率密度，EPC Space 最新的 GaN 器件满足了对紧凑、高效和抗辐射功率转换日益增长的需求。EPC7030MSH专为在极端辐射和热条件下运行的前端 DC-DC 转换器和电力推进系统而设计。文档显示，该器件的额定工作电压为 300 V，线性能量传输 （LET） 为 63
麻省理工学院和其他地方的研究人员开发了一种新的制造工艺，将高性能 GaN 晶体管集成到标准硅 CMOS 芯片上来自麻省理工学院网站：他们的方法包括在 GaN 芯片表面构建许多微小的晶体管，切出每个单独的晶体管，然后使用低温工艺将所需数量的晶体管键合到硅芯片上，以保持两种材料的功能。由于芯片中只添加了少量的 GaN 材料，因此成本仍然很低，但由此产生的器件可以从紧凑的高速晶体管中获得显著的性能提升。此外，通过将 GaN 电路分离成可以分布在硅芯片上的分立晶体管，新技术能够降低整个系统的温度。研究人员使用这种
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