叉烧是什么肉
XP Power推出PCB安装型AC-DC电源EHL系列，可提供3.3VDC至48VDC的单输出电压。这款EHL05（5W）和EHL20（20W）高功率密度电源有裸板型和封装型可选，具有85VAC至528VAC的超宽输入范围，可在电源波动条件下实现全局兼容性和高稳定性。EHL系列具有IEC II级结构，符合全球工业和家庭安全认证，专为480VAC系统中的相间操作而设计。OVC III（过电压III类）认证可直接连接到工业布线装置，提高电气安全性，并降低敏感电子设备损坏的风险。EHL系列符合多种认证，包括E
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85-528VAC 超宽输入 OVC III 认证电源 工业自动化
美国国家可再生能源实验室宣布，科学家们生产出了一种六结太阳能电池，在集中照明下测得的效率为47.1%，从而创造了新的世界纪录。
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美国 太阳能电池 III-V材料
Imagination Technologies 宣布，该公司的64位MIPS架构已获得面向下一代企业、数据中心与服务提供商基础架构等应用的Cavium新款低功耗OCTEONreg; II
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MIPS OCTEON III Cavium
使用TinySwitch-III的12W宽电压输入的恒压适配器电路该电源为12V、1A输出的宽电压输入反激式转换器，采用了TinySwitch-III系列中的TNY278P器件。由于很多功能已经集成在器件内部，因此仅需要31个直插式元件（无表面...
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TinySwitch-III 宽电压输入 恒压适配
Cypress公司的CY7C603xx系列是低压enCoRe III PSoC器件，采用功能强大的哈佛架构，M8C处理器的速度高达12MHz，工作电压2.4V～3.6V,具有可配置的外设如8位定时器,计数器和PWM,，全双工主或从SPI，10位ADC，8位SAR ADC
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enCoRe III CY
μC／OS―III为缩短中断关闭时间作出的改进,摘要：本文介绍了实时内核的中断机制，研究了mu;C／OS—III为缩短中断关闭时间做出的改进。通过对比mu;C／OS—II以及mu;C／OS—III的中断管理办法，分析mu;C／OS—III在哪些方面作出了改进。
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μC／OS―III 实时内核 临界区 中断管理
Imagination Technologies 宣布，该公司的64位MIPS架构已获得面向下一代企业、数据中心与服务提供商基础架构等应用的Cavium新款低功耗OCTEON® III SoC处理器
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MIPS OCTEON III Cavium
比利时奈米电子研究中心Imec的研究人员透过将快闪记忆体(Flash)与使用砷化铟镓(InGaAs)的更高性能III-V材料通道垂直排放的方式，发现了一种能够提高快闪记忆体速度与寿命的新方法。
目前大多数的快闪记忆体使用由浮闸所控制的平面多晶矽通道，并用控制闸读取或编程高电压的浮闸——其方式是迫使电子穿隧至浮闸(0)或由其流出(1)。藉由将通道移动至垂直的方向，3D快闪记忆体能够更紧密地封装，而不必遵循微缩规则。
此外，Imec最近发现，透过使用通道中的III-V材
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Imec III-V
1 什么是实时操作系统?
实时操作系统是确定的，意思是指系统需要在明确的截止时间内做出响应。这种确定性很重要，其原因有多种，例如，如果最终应用正在监控工业流程，那么必须在特定时段内对事件做出响应，工业控制系统就属于这类情况。
可根据满足截止时间的能力对RTOS进一步分类为三种不同类型的RTOS，每种类型都以不同方式满足截止时间。在hard RTOS中，错过截止时间被视为系统错误。而对于firm RTOS就不是这样，偶尔错过截止时间是可以接受的。在soft RTOS中，错过一次截止时间会减少
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RTOS SDK 信号量 Zynq μC/OS-III
μC/OS-III相比于μC/OS-II做了很多的改进，是一款全新的内核，在效率方面有了很大提升，并且支持任务的时间片轮转调度，摒弃了一些不必要的内容，如消息邮箱，对于熟悉μC/OS-II的工程师来说，上手μC/OS-III还是比较容易的，先来了解一下μC/OS-III做了哪些具体的改进。
一、时钟节拍的改进
在RTOS中,任务可通过调用延时函数(如OSTimeDly( )函数)将自己延时挂起一段时间，任务在延时的过程中会释放CPU,延时的任务不占用宝贵的CP
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RTOS μC/OS-III μC/OS-II
电动轨道车控制系统一般分为多个子系统，子系统受一个主控器控制。这样的结构设计繁琐，编程复杂。采用μC/OS-III操作系统、STM32F103RC微控制器、12864液晶屏、PVC按键、无线串口模块、锂电池等实现具有人机界面、无线串口功能的总线主控器。该控制器具有人机界面、轨道车主控器、遥控接收器、遥控面板等多种功能，并且能在不同项目中使用。(※ μC/OS-III从官网上下载，文件名为Micrium_uC-Eval-STM32F107_uCOS-III,版本为V1.29.01.00。)
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μC/OS-III STM32 12864
最高性能的金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)将不再由矽晶制成。根据近日在美国夏威夷檀香山举行的2014VLSI技术研讨会上的研究人员们表示，未来，这种MOSFET将改采三五(III-V)族材料在矽基板上生长而成。
在一场由Semiconductor Research Corporation(SRC)所举行的产品展示中，美国加州大学圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人员们展示他们所宣称世界上最高性能的MOSFET──这种MOSFET是由在(InP)上的砷化铟镓(InGaAs)所形成;这种
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III-V族 MOSFET
为电信网、企业网和物联网(IoT)网络提供先进芯片解决方案的领先供应商Vitesse Semiconductor公司(纳斯达克股票代码：VTSS)日前宣布：推出其最新一代的SparX-III?以太网交换芯片，包括VSC7420-04、VSC7421-04和VSC7422-04 等，它们专门为包括楼宇自动化、制造自动化、智能化交通、智能能源以及视频监控/安防等工业物联网应用而优化。通过Vitesse全新的SparX-III系列、一揽子以太网硬件和软件参考系统以及原始设计制造商模型，用户可将其产品上市时间
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Vitesse IoT SparX-III
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