北京:灾区川籍部分务工人员可获1000元慰问金
DRAM / NAND 巨头明年加码半导体投资：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%
- IT之家 12 月 21 日消息，根据韩媒 ETNews 报道，三星和 SK 海力士都计划 2024 年增加半导体设备投资。三星计划投资 27 万亿韩元（IT之家备注：当前约 1482.3 亿元人民币），比 2023 年投资预算增加 25%；而 SK 海力士计划投资 5.3 万亿韩元（当前约 290.97 亿元人民币），比今年的投资额增长 100%。报道中指出，三星和 SK 海力士在增加半导体设备投资之外，还提高了 2024 年的产能目标。报道称三星将 DRAM 和 NAND
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集邦咨询称 2024Q1 手机 DRAM、eMMC / UFS 均价环比增长 18-23%
- IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨询近日发布报告，预估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）环比增长 18-23%，而且不排除进一步拉高的情况。集邦咨询表示 2024 年第 1 季中国智能手机 OEM 的生产规划依然稳健，由于存储器价格涨势明确，带动买方积极扩大购货需求，以建设安全且相对低价的库存水位。集邦咨询认为买卖双方库存降低，加上原厂减产效应作用，这两大因素促成这一波智能手机存储器价格的强劲涨势。集邦咨询认为明年第 1 季
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明年半导体暴增20%，哪些赛道市场回暖？
- 今年的半导体可谓寒风瑟瑟，市场下滑的消息从年头传到年尾，半导体企业也疲于应对萧瑟的市场环境，不断传出减产、亏损的消息。熬过冬就是春，最近的半导体市场总算是迎来了一些好消息。IDC 最新的预测，认为半导体市场已经触底，明年开始半导体将会加速恢复增长。在它的预测中，2023 年全球半导体市场收入从 5188 亿美元上调至 5265 亿美元，2024 年收入预期也从 6259 亿美元上调至 6328 亿美元。到明年，全球半导体收入将同比增长 20.2%。IDC 全球半导体供应链技术情报研究经理 Rudy Tor
- 关键字： NAND flash 射频前端 CPU 模拟芯片
市况好转 内存厂Q3获利嗨
- NAND Flash现货价于8月中旬反弹，DRAM价格也在9月开始回升，内存市况确立好转，带动内存族群获利能力普遍呈现攀升。观察第三季内存族群财报，内存制造大厂包括南亚科、旺宏及华邦电仍呈小幅亏损；内存模块厂创见、威刚、广颖、品安、宇瞻单季每股税后纯益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群联单季EPS更分别有3、4元以上亮眼成绩。另从毛利率、营利率及税后纯益率三大财务指标来看，第三季财报数字呈现「三率三升」的内存厂商，则有创见、威刚、十铨、广颖、宜鼎、品安，财务成绩表现亮眼。此外，威刚14日公告10月自结财务数
- 关键字： 内存 ?NAND Flash DRAM
兆易创新车规闪存产品成功应用于悬架控制器，在奇瑞多款车型实现量产
- 兆易创新GigaDevice宣布，搭载了兆易创新GD25F128F车规级SPI NOR Flash的明然科技国产化主动悬架控制器（CDC）出货量已超数万台，并在奇瑞瑞虎9和星途瑶光等车型上量产。在汽车底盘悬架系统等安全性要求较高的场景中稳定运行，标志着兆易创新车规级SPI NOR Flash的可靠性得到进一步验证。悬架是车架（或车身）与车轿（或车轮）之间的传力连接装置，分为传统被动式、半主动式和主动式三类，而主动式悬架系统能根据车辆的运动状态和路面情况自适应调节减振器阻尼力，使其更好地适用于当前路段，悬架
- 关键字： 兆易创新 悬架控制器 SPI NOR Flash
预估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合约价均上涨
- 据TrendForce集邦咨询最新研究显示，第四季Mobile DRAM合约价季涨幅预估将扩大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合约价涨幅约10~15%；由于Mobile DRAM一直以来获利表现均较其他DRAM产品低，因此成为本次的领涨项目。季涨幅扩大包括几个原因，供应方面：三星扩大减产、美光祭出逾20%的涨幅等，持续奠定同业涨价信心的基础。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受传统旺季带动，华为Mate
- 关键字： Mobile DRAM NAND Flash TrendForce
第四季NAND Flash合约价季涨幅预估8~13%
- 据TrendForce集邦咨询集邦咨询研究显示，由于供应商严格控制产出，NAND Flash第四季合约价全面起涨，涨幅约8~13%。展望2024年，除非原厂仍能维持减产策略，且服务器领域对Enterprise SSD需求回温，否则在缺乏需求作为支撑的前提下，NAND Flash要延续涨势将有难度。Client SSD方面，由于原厂及模组厂均积极涨价，促使PC OEM欲在价格相对低点预备库存，采购量会较实际需求量高。而供应商为扩大位元出货量，已在第三季推出促销，故Client SSD价格没有
- 关键字： NAND Flash TrendForce
集邦咨询：2023Q4 NAND 价格预估增长 3-8%，DRAM 要开启增长周期
- IT之家 9 月 27 日消息，存储制造商在经历了有史以来最长的下降周期之后，终于看到了 DRAM 市场复苏的希望。根据集邦咨询报道，伴随着主要存储制造商的持续减产，已经市场去库存效果显现，预估 NAND Flash 价格回暖之后，DRAM 价格也会上涨。NAND 闪存供应商为减少亏损，2023 年以来已经进行了多次减产，目前相关效果已经显现，消息称 8 月 NAND Flash 芯片合约价格出现反弹，9 月继续上涨。行业巨头三星继续减产，主要集中在 128 层以下产品中，在 9 月产量下降了
- 关键字： 存储 DRAM NAND Flash
第二季NAND Flash营收环比增长7.4%，预期第三季将成长逾3%
- 据TrendForce集邦咨询研究显示，第二季NAND Flash市场需求仍低迷，供过于求态势延续，使NAND Flash第二季平均销售单价（ASP）续跌10~15%，而位元出货量在第一季低基期下环比增长达19.9%，合计第二季NAND Flash产业营收环比增长7.4%，营收约93.38亿美元。自第二季起，三星（Samsung）加入减产行列，且预期第三季将扩大减产幅度，供给收敛的同时也在酝酿涨价，供过于求态势有望因此获得改善。不过，由于NAND Flash产业供应商家数多，在库存仍高的情
- 关键字： NAND Flash TrendForce
NAND Flash第四季价格有望止跌回升
- 近日，三星（Samsung）为应对需求持续减弱，宣布9月起扩大减产幅度至50%，减产仍集中在128层以下制程为主，据TrendForce集邦咨询调查，其他供应商预计也将跟进扩大第四季减产幅度，目的加速库存去化速度，预估第四季NAND Flash均价有望因此持平或小幅上涨，涨幅预估约0~5%。价格方面，如同年初TrendForce集邦咨询预测，NAND Flash价格反弹会早于DRAM，由于NAND Flash供应商亏损持续扩大，销售价格皆已接近生产成本，供应商为了维持营运而选择扩大减产，以期带动价
- 关键字： NAND Flash Wafer TrendForce
NAND 原厂过够了「苦日子」，有晶圆合约成功涨价 10%
- 厂家期待触底后的反弹早日到来。
- 关键字： NAND Flash
基于FPGA的NAND Flash的分区续存的功能设计实现
- 传统的控制器只能从NAND Flash存储器的起始位置开始存储数据，会覆盖上次存储的数据，无法进行数据的连续存储。针对该问题，本文设计了一种基于FPGA的简单方便的NAND Flash分区管理的方法。该方法在NAND Flash上开辟专用的存储空间，记录最新分区信息，将剩余的NAND Flash空间划成多个分区。本文给出了分区工作机理以及分区控制的状态机图，并进行了验证。
- 关键字： 202308 NAND Flash FPGA 分区 起始地址
flash介绍
闪存（Flash ROM）：
是一种电擦除非易失型存储器，由浮栅型场效应管构成，写入时，利用热电子注入，使浮栅带电；擦除时，则利用高压下的隧道效应，使浮栅失去电子。
FLASH闪存是半导体技术，内部是相对静态的，体积小，抗震性很高（便于携带）。加上半导体技术发展很快，价格下降也很快，这是目前的MP3大多数是用FLASH闪存的原因。
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