个人能否建立体停车位？北京交通委：正研究相关政策
- 罗姆今年发布了他们的第4代（Gen4）金氧半场效晶体管（MOSFET）产品。新系列包括额定电压为750 V（从650 V提升至750 V）和1200 V的金氧半场效晶体管，以及多个可用的TO247封装元件，其汽车级合格认证达56A/24m?。这一阵容表明罗姆将继续瞄准他们之前取得成功的车载充电器市场。在产品发布声明中，罗姆声称其第4代产品“通过进一步改进原有的双沟槽结构，在不影响短路耐受时间的情况下，使单位面积导通电阻比传统产品降低40%。”他们还表示，“此外，显著降低寄生电容使得开关损耗比我们的上一代碳
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罗姆 ROHM MOSFET
- 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出支持高达45V的额定电压、50mA输出电流的一次侧*1LDO稳压器*2（以下简称“LDO”）“BD7xxL05G-C系列”（BD725L05G-C、BD730L05G-C、BD733L05G-C、BD750L05G-C），该系列产品非常适用于各种冗余电源*3，用于车载应用中，可提高车载电源系统的可靠性。近年来，随着ADAS（高级驾驶辅助系统）等的发展，要求为这些应用供电的车载电源系统具有更高的可靠性。因此，越来越多的车载电源系统都开始配备冗余电源，以
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ROHM 一次侧LDO
- 近日，全球知名半导体制造商ROHM面向引擎控制单元和变速箱控制单元等车载电子系统、PLC（Programable Logic Controller）等工业设备，开发出40V耐压单通道和双通道输出的智能低边开关（Intelligent Power Device，以下简称IPD）“BV1LExxxEFJ-C / BM2LExxxFJ-C系列”，此次共推出8款产品。这些产品通过替代机械继电器和MOSFET，实现汽车和工业设备市场所需的功能安全。新产品已于2022年10月开始暂以系列合计月产60万个的规模投入量产
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ROHM 智能功率器件 功率损耗 IPD
- 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向引擎控制单元和变速箱控制单元等车载电子系统、PLC（Programable Logic Controller）等工业设备，开发出40V耐压单通道和双通道输出的智能低边开关*1（Intelligent Power Device，以下简称IPD）“BV1LExxxEFJ-C / BM2LExxxFJ-C系列”，此次共推出8款产品。近年来，在汽车和工业设备领域，围绕自动驾驶（自动化）的技术创新日新月异，对安全性的要求也越来越高。在进行设备开发时，必须考虑到如
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ROHM TDACC 小型智能功率器件
- 与普通产品相比，在主驱逆变器、OBC等的隔离电路中，安装面积可减少约30%全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出两款隔离型反激式*1DC-DC转换器和，新产品非常适用于xEV（电动汽车）的主驱逆变器、车载充电器（以下简称“OBC”）、电动压缩机以及PTC加热器*2等应用中配备的栅极驱动器的驱动电源。近年来，为了实现社会的可持续发展，混合动力汽车和纯电动汽车（统称“xEV”）加速普及。xEV将电力作为主要动力来源，并配备了各类电动汽车特有的应用，比如用于驱动电机的主驱逆变器、用于空调的电动
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ROHM 转换器 xEV
- 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出两款隔离型反激式*1DC-DC转换器“BD7F105EFJ-C”和“BD7F205EFJ-C”，新产品非常适用于xEV（电动汽车）的主驱逆变器、车载充电器（以下简称“OBC”）、电动压缩机以及PTC加热器*2等应用中配备的栅极驱动器的驱动电源。近年来，为了实现社会的可持续发展，混合动力汽车和纯电动汽车（统称“xEV”）加速普及。xEV将电力作为主要动力来源，并配备了各类电动汽车特有的应用，比如用于驱动电机的主驱逆变器、用于空调的电动压缩机、用于提升车
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ROHM 隔离型DC-DC转换器 xEV
- 在“DC-DC转换器的热仿真”系列中，将介绍使用ROHM Solution Simulator对耐压80V、输出5A的DC-DC转换器IC“BD9G500EFJ-LA”组成的电源电路进行电路工作仿真，还会介绍可以同时执行该IC和外置器件肖特基势垒二极管“RB088BM100TL”温度仿真的仿真环境及其使用方法。本文的关键要点?ROHM Solution Simulator的热分析功能具有以下特点：– 可对含有功率半导体、IC和无源器件的电路进行热-电耦合分析。– 除了电路工作期间的半导体芯片温度（结温）分
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ROHM 转换器 热仿真
- 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款小型且高效的20V耐压Nch MOSFET*1“RA1C030LD”，该产品非常适用于可穿戴设备、无线耳机等可听戴设备、智能手机等轻薄小型设备的开关应用。近年来，随着小型设备向高性能化和多功能化方向发展，设备内部所需的电量也呈增长趋势，电池尺寸的增加，导致元器件的安装空间越来越少。另外，电池的尺寸增加也是有限制的，为了更有效地利用有限的电池电量，就需要减少用电元器件的功率损耗。针对这种需求，开发易于小型化而且特性优异的晶圆级芯片尺寸封装的MOSF
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ROHM MOSFET
- 具有驱动器源极引脚的SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的SiC MOSFET产品相比，在桥式结构情况下的栅-源电压的行为不同。在上一篇文章中，我们介绍了LS（低边）SiC MOSFET导通时的行为。本文将介绍低边SiC MOSFET关断时的行为。本文的关键要点1 具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的栅-源电压的行为不同。2 要想正确实施SiC MOSFET的栅-源电压的浪涌对
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ROHM 桥式结构 栅极
- 测量表面温度时，热电偶的固定方法和导线的处理会影响测量结果。尽量减少热电偶固定方法带来的影响是非常重要的。本文的关键要点? 将热电偶的测量端（连接端）固定到IC等封装上的方法有两种：①使用聚酰亚胺（PI）胶带等；②使用环氧树脂粘结剂。? JEDEC推荐使用环氧树脂粘结剂的方法。? 除了热电偶测量端的固定方法外，导线的处理也会影响到测量结果，因此应沿着发热源敷设导线。测量表面温度时，热电偶的固定方法和导线的处理会影响测量结果。尽量减少热电偶固定方法带来的影响是非常重要的。热电偶的固定方法：粘贴方法将热电偶的
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ROHM 热电偶
- 内置折返式限流电路的线性稳压器IC，在IC启动前输出端被施加恒流负载时，可能会出现无法启动的问题。本文的关键要点?内置折返式限流电路的线性稳压器在启动前被施加恒流负载时，可能会出现无法启动的故障。?内置折返式限流电路的线性稳压器的这种故障可以通过使用具有电流下垂特性的过电流保护电路的线性稳压器来解决。?如果因恒流负载而使电流流过在IC的输出引脚和接地之间的ESD保护二极管或寄生二极管，则IC可能会劣化甚至损坏，因此需要在IC的输出引脚和接地之间连接肖特基势垒二极管来进行保护。内置折返式限流电路的线性稳压器
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ROHM 恒流负载
- 在下面的表格中，汇总了当着眼于上一篇文章中给出的基本电路的一次侧MOSFET时，LLC转换器的优缺点。LLC转换器通过部分谐振方式实现ZVS工作，部分谐振方式是使用激励电流对MOSFET的输出电容Coss进行充电和放电。这样可以减少开关损耗，从而可以减小MOSFET封装和散热器的尺寸。本文的关键要点?虽然LLC转换器的优点是开关损耗低，但受失谐的影响，开关损耗可能会增加，并且可能会导致MOSFET损坏。?LLC转换器使用PFM方式来控制输出电压。由于LLC的增益频率特性具有两个谐振频率，因此根据fsw被分
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ROHM LLC
- 这种故障类似于“案例3：直通电流导致的启动故障①”，多发生于电路模块的电路电流在电源电压上升时和下降时明显不同的情况。图1为电路电流示例。本文的关键要点?当作为负载的电路模块在电源电压上升时和下降时电流存在显著差异时，可能会发生启动故障。?需要充分评估折返式限流电路的特性和输出电流（负载）的特性。案例4：直通电流导致的启动故障②这种故障类似于“案例3：直通电流导致的启动故障①”，多发生于电路模块的电路电流在电源电压上升时和下降时明显不同的情况。图1为电路电流示例。图2表示将该电路模块与“案例2：恒流负载导
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ROHM 稳压器
- ——“MCR系列”通用型分流电阻器的两款机型也已更新，产品阵容更强大全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向车载设备、工业设备和消费电子设备等广泛的应用领域，开发出“LTR系列”的长边电极型分流电阻器“LTR10L”，同时，“MCR系列”通用型分流电阻器中的两款机型也已更新为“MCR10L”和“MCR18L”，产品阵容得到进一步强化。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? &nb
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ROHM 超高额定功率 分流电阻器 LTR10L
- *设备端（On-device）学习：?在同一AI芯片上进行学习和训练全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款设备端学习*AI芯片（配备设备端学习AI加速器的SoC），该产品利用 AI（人工智能）技术，能以超低功耗实时预测内置电机和传感器等的电子设备的故障（故障迹象检测），非常适用于IoT领域的边缘计算设备和端点*1。通常，AI芯片要实现其功能，需要进行设置判断标准的“训练”，以及通过学到的信息来判断如何处理的“推理”。在这种情况下，“训练”需要汇集庞大的数据量形成数据库并随时
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ROHM 设备端 AI芯片 无需云服务器 实时预测故障
rohm介绍
Rohm株式会社为全球知名的半导体生产企业，ROHM公司总部所在地设在日本京都市,1958年作为小电子零部件生产商在京都起家的ROHM，于1967年和1969年逐步进入了 晶体管、二极管领域和IC等半导体领域.2年后的1971年ROHM作为第一家进入美国硅谷的日本企业,在硅谷开设了IC设计中心.以当时的企业规模，凭借被称为"超常思维"的创新理念，加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗，ROHM [
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