用车要注意的那些事 停车方向盘不回正的危害
- 随着电子器件在汽车和其他产品上的应用越来越广泛（智能化），芯片的集成度也越来越高、体形也越来越小、研发的难度也越来越高，这些器件通常具有线间距短、线细、集成度高、运算速度快、功耗低和高输入阻抗的特点，这也导致了这类器件对静电的要求越来越高。其中涉及到的标准为：ESD SP5.5.1-2004、ISO7637-2、GB/T.21437.2、ECER10.05 6.9、IEC62615:2010。其中在很多器件的ESD性能，都会使用TLP 测试，除了使用标准的TLP脉冲发生器之外，还需要使用示波器对其脉冲进行
- 关键字：
ESD TLP
- 随着电子器件在汽车和其他产品上的应用越来越广泛（智能化），芯片的集成度也越来越高、体形也越来越小、研发的难度也越来越高，这些器件通常具有线间距短、线细、集成度高、运算速度快、功耗低和高输入阻抗的特点，这也导致了这类器件对静电的要求越来越高。其中涉及到的标准为：ESD SP5.5.1-2004、ISO7637-2、GB/T.21437.2、ECER10.05 6.9、IEC62615:2010。其中在很多器件的ESD性能，都会使用TLP 测试，除了使用标准的TLP脉冲发生器之外，还需要使用示波器对其脉冲进行
- 关键字：
ESD 保护设计 传输线脉冲 TLP
- 摘? 要：本文研究了P型保护环对双向可控硅（DDSCR）静电防护器件寄生电容的影响。在低压工艺下制备
了不带保护环的低压双向可控硅（LVDDSCR）和带保护环的低压双向可控硅（LVDDSCR_GR）器件，在
高压工艺下制备了不带保护环的高压双向可控硅（HVDDSCR）和带保护环的高压双向可控硅（HVDDSCR_
GR）器件。利用B1505A功率器件分析仪测试并讨论了器件的电容特性，同时利用传输线脉冲（TLP）测试仪
分析了它们的静电性能。结果表明，保护环的增加对器件静电防护能力无较大影响，但在1?
- 关键字：
202206 双向可控硅 保护环 寄生电容 传输线脉冲测试系统
- 基于0.18 μm双极CMOS-DMOS（BCD）工艺，研究并实现了一种阳极和阴极两侧均加入硅化物阻挡层（SAB）的可控硅（SCR）器件，可用于高压静电放电保护（ESD）。利用二维器件仿真平台和传输线脉冲测试系统（TLP），预测和验证了SAB层对可控硅性能的影响。测量结果表明，在不增加器件面积的情况下，通过增加SAB层，器件的维持电压（Vh）可以从3.03 V提高到15.03 V。与传统SCR器件相比，带有SAB层的SCR器件（SCR_SAB）具有更高的维持电压。
- 关键字：
可控硅（SCR） 硅化物阻挡层（SAB） 仿真 传输线脉冲测试系统（TLP） 维持电压（Vh） 202109
- Ashton 博士说在正常工作条件下，ESD 保护元件应该保持在不动作状态，同时不会对电子系统的功能造成任何影响，这可以通过维持低电流以及足以在特定数据传输速率下维持数据完整性的低电容值来达成。而在ESD 应力冲击或
- 关键字：
TLP ESD 保护 元件
- Ashton 博士说在正常工作条件下，ESD 保护元件应该保持在不动作状态，同时不会对电子系统的功能造成任何影响，这可以通过维持低电流以及足以在特定数据传输速率下维持数据完整性的低电容值来达成。而在ESD 应力冲击或
- 关键字：
TLP ESD 屏幕 保护
传输线脉冲测试系统（tlp）介绍
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