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CCPAK1212封装将再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现
- Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片CCPAK1212封装，具有业内领先的功率密度和优越性能。创新型铜夹片设计能够承载高电流、寄生电感更低且热性能出色，因此这些器件非常适合电机控制、电源、可再生能源系统和其他耗电应用。该系列还包括专为AI服务器热插拔功能设计的特定应用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封装的MOSFET提供顶部和底部散热选项，可实现高功率密度和可靠的解决方案。所有器件封装均已在JEDEC注册，并配备Nexperia交
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Littelfuse推出高性能超级结X4-Class 200V功率MOSFET
- 提供业界领先的低通态电阻，使电池储能和电源设备应用的电路设计更加简化，性能得到提升。Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超级结X4-Class功率MOSFET。这些新器件在当前200V X4-Class超级结MOSFET的基础上进行扩展，有些具有最低导通电阻。这些MOSFET具有高电流额定值，设计人员能够用来替换多个并联的低额定电流器件，从而简化设计流程，提高应用的可靠性和功率
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英飞凌发布面向大众市场应用的StrongIRFET? 2功率MOSFET 30V产品组合
- 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新StrongIRFET? 2功率MOSFET 30 V产品组合，扩展了现有StrongIRFET? 2系列产品的阵容，以满足大众市场对30 V解决方案日益增长的需求。新型功率?MOSFET产品经过优化，具有高可靠性和易用性，专为满足各种大众市场应用的要求而设计，实现了高度的设计灵活性。适合的应用包括工业开关模式电源（SMPS）、电机驱动器、电池供电应用、电池管理系统和不间断电源（UPS）。英飞凌采用TO-220封装的
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P通道功率MOSFET及其应用
- Littelfuse P通道功率MOSFET虽不及广泛使用的N通道MOSFET出名，在传统的应用范围也较有限，然而，随着低压（LV）应用需求的增加，P通道功率MOSFET的应用范围得到拓展。高端侧（HS）应用P通道的简易性，使其对低压变换器（< 120 V）和非隔离的负载点更具吸引力。因为无需电荷泵或额外的电压源，高端侧（HS）P信道MOSFET易于驱动，具有设计简单、节省空间，零件数量少等特点，提升成本效率。本文通过对N信道和P信道MOSFETs进行比较，介绍Littelfuse P通道功率MOS
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英飞凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC顶部冷却封装，为现代汽车应用提供更高效率
- 英飞凌科技股份公司近日推出采用?OptiMOS? MOSFET技术的SSO10T TSC?封装。该封装采用顶部直接冷却技术，具有出色的热性能，可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板（PCB）。该封装能够实现简单、紧凑的双面PCB设计，并更大程度地降低未来汽车电源设计的冷却要求和系统成本。因此，SSO10T TSC适用于电动助力转向（EPS）、电子机械制动（EMB）、配电、无刷直流驱动器（BLDC）、安全开关、反向电池和DCDC转换器等应用。SSO10T TSC的占板面积为5
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Littelfuse推出首款汽车级PolarP P通道增强模式功率MOSFET
- Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司宣布推出首款汽车级PolarP? P通道功率MOSFET IXTY2P50PA。这种创新性产品设计可满足汽车应用的苛刻要求，提供卓越的性能和可靠性。-500 V、-2 A IXTY2P50PA最为与众不同之处在于通过了AEC-Q101认证，这一特点使其成为汽车应用的理想选择。该认证确保MOSFET符合汽车行业严格的质量和可靠性标准。凭借这项认证，汽车制造商可确信IXTY2P50PA能够提供卓越的应用性能
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功率mosfet介绍
“MOSFET”是英文metal-oxide- semicONductor field effect transistor的缩写，意即“金属氧化物半导体场效应晶体管”，功率MOSFET即为以金属层M的栅极隔着氧化层O利用电场的效应来控制半导体S的场效应晶体管。除少数应用于音频功率放大器，工作于线性范围，大多数用作开关和驱动器，工作于开关状态，耐压从几十伏到上千伏，工作电流可达几安培到几十安培。 [ 查看详细 ]
功率mosfet专栏文章
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