刘若英《后来的我们》预告质问“如何去爱”
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电源管理的前沿趋势
我们矢志不渝地致力于突破电源限制：开发新的工艺、封装和电路设计技术，从而为您的应用提供性能出色的器件。无论您是需要提高功率密度、延长电池寿命、减少电磁干扰、保持电源和信号完整性，还是维持在高电压下的安全性，我们都致力于帮您解决电源管理方面的挑战。德州仪器 (TI)：与您携手推动电源进一步发展的合作伙伴 。
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1 功率密度：提高功率密度以在更小的空间内实现更大的功率，从而以更低的系统成本增强系统功能 | 2 低 IQ：在不影响系统性能的同时，降低静态电流以延长电池寿命和货架寿命 |
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低噪声和高精度：增强功率和信号完整性，以提高系统级保护 | |
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5 隔离：通过高压隔离栅传输信号和/或电力，以提高较高工作电压下的安全性和可靠性 | |
功率密度
在更小的空间内实现更大的功率，从而以更低的系统成本增强系统功能
随着人们对电源的要求越来越多，电路板面积和厚度日益成为限制因素。电源设计人员必须向其应用中集成更多的电路，才能实现产品的差异化，并提高效率和增强热性能。使用 TI 的先进工艺、封装和电路设计技术，现能以更小的外形尺寸实现更高的功率等级。
器件产热更少
? 业内先进的电源处理节点电压小于 100V
? 600V 氮化镓 (GaN) 器件可提供出色的开关性能比较效率提升对温升影响的热图像。
比较效率提升对温升影响的热图像。
散热型封装
? HotRod? 封装
? 支持散热垫的增强型 HotRod QFN 封装
HotRodTM 封装不仅省去了 接合线，还能保持出色的热性能。
拓扑和电路支持更小的无源组件
? 多级转换器拓扑
? 先进的功率级栅极驱动器支持更小磁性元件的多级拓扑。
支持更小磁性元件的多级拓扑。
通过集成，可最大限度地减小寄生效应并减少系统占用空间
? MicroSiP 3D 模块集成
MicroSiP 封装支持 3D 集成。
功率密度的关键产品分类：电池充电器IC，降压-升压和反相稳压器，氮化镓（GaN）IC，隔离偏置电源，隔离栅极驱动器，LED驱动器，线性稳压器（LDO），多通道 IC（PMIC），离线和隔离DC / DC控制器 与转换器，电源开关，降压型稳压器，升压型稳压器，USB Type-C和USB Power Delivery IC
GaN + 栅极驱动器 MCM 可减小寄生效应，并提高功率密度 。
低静态电流 (IQ)
在不影响系统性能的同时，延长电池寿命和存储时间
在电池供电的系统中，为了在空载或轻负载条件下实现高效率，需要电源解决方案在保持超低供 电电流的同时，对输出进行严格调节。借助 TI 的超低 IQ 技术和产品组合，您可在下一个设计中实现低功耗，并最大限度地延长电池运行时间。
低待机功耗
● 使用超低泄漏元件和新型控制拓扑，延长电池运行时间
快速唤醒和低待机功耗。
快速响应时间
● 通过快速唤醒电路和自适应偏置增强系统功能，以提高动态响应时间，同时保持超低的静态功耗
与同类产品相比，TI 产品具有超低的 IQ 和出色的瞬态响应。
需要低 IQ 特性的主要产品类别：电池充电器 IC、降压/升压和反相稳压器、线性稳压器 (LDO)、电源开关、串联电压基准、并联电压基准、降压稳压器、升压稳压器、监控器和复位 IC
S外形小巧
● 借助 TI 的专利电路技术，可实现支持应用的裸片和封装尺寸，且不会影响静态功耗
不影响 IQ 的超小型封装。
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