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7月12日消息，近日，西安电子科技大学广州研究院第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授课题组李祥东团队在蓝宝石基增强型e-GaN电力电子芯片量产技术研发方面取得突破性进展。

研发成果6英寸增强型e-GaN电力电子芯片以“p-GaN Gate HEMTs on 6 Inch Sapphire by CMOSCompatible Process: A Promising Game Changer for Power Electronics”为题发表在高水平行业期刊IEEE Electron Device Letters上，并入选封面highlight论文。

西电广州研究院与广东致能科技公司联合攻克了≥1200V超薄GaN缓冲层外延、p-GaN栅HEMTs设计与制造、可靠性加固、高硬度材料封测等整套量产技术，成功开发出阈值电压超过2V、耐压达3000V的6英寸蓝宝石基增强型e-GaNHEMTs晶圆，展示了替代中高压硅IGBT和SiC MOSFET的巨大潜力。

在该项目的研究中，研究团队还成功研发了8英寸GaN电力电子芯片，首次证明了8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆量产的可行性，并打破了传统GaN技术难以同时兼顾大尺寸、高耐压、低成本的国际难题，将有望推动≥1200 V中高压氮化镓电力电子技术实现变革。