【両会】政府活動報告８６カ所修正
- 近日，台积电业务发展高级副总裁张晓强博士在接受采访时被问到，如何看待“摩尔定律已死”的说法，而他的回答非常直接：“很简单，不在乎。只要我们能继续推动工艺进步，我就不在乎摩尔定律是活着，还是死了。”在张晓强看来，台积电的优势在于，每年都能投产一种新的制程工艺，为客户改进性能、功耗和面积 （PPA）指标进。比如说最近十年来，苹果一直是台积电的头号客户，而苹果A/M系列处理器的演进，正好反映了台积电工艺的变化。此外，AMD Instinct MI300X / MI300A、NVIDIA H100/B200/GB
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台积电 摩尔定律 工艺
- 英特尔周三表示，其名为Intel 3的3nm级工艺技术已在两个工厂进入大批量生产，并提供了有关新生产节点的一些额外细节。新工艺带来了更高的性能和更高的晶体管密度，并支持1.2V的电压，适用于超高性能应用。该节点针对的是英特尔自己的产品以及代工客户。它还将在未来几年内发展。英特尔代工技术开发副总裁Walid Hafez表示：“我们的英特尔3正在俄勒冈州和爱尔兰的工厂进行大批量生产，包括最近推出的Xeon 6'Sierra Forest'和'Granite Rapids'处理器
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Intel 3 3nm 工艺
- 此前有报道称，明年谷歌可能会改变策略，在用于Pixel
10系列的Tensor
G5上更换代工厂，改用台积电代工，至少在制造工艺上能与高通和联发科的SoC处于同一水平线。为了更好地进行过渡，谷歌将扩大在中国台湾地区的研发中心。随后泄露的数据库信息表明，谷歌已经开始与台积电展开合作，将Tensor
G5的样品发送出去做验证。据Wccftech报道，谷歌与台积电已达成了一项协议，后者将为Pixel系列产品线生产完全定制的Tensor G系列芯片。谷歌希望新款SoC不再受到良品率的困扰，而Tenso
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谷歌 台积电 Tensor G5 3nm 工艺
- IT之家 6 月 19 日消息，名为 Flow Computing 的芬兰公司宣布新的研究成果，成功研发出全新的芯片，可以让 CPU 性能翻倍，而且可以通过软件优化性能提高最多 100 倍。Flow Computing 演示了全新的并行处理单元（PPU），该公司联合创始人兼首席执行官 Timo Valtonen 认为这项技术有着广泛的应用前景：“CPU 是计算中最薄弱的环节。它无法胜任自己的任务，这一点需要改变。”该芯片技术涉及一个配套芯片，不产生额外功耗或者更多热量的情况下，能实时优化处理任务
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CPU 工艺 荷兰
- 近日，三星电子对外表示，8nm版本的eMRAM开发已基本完成，正按计划逐步推进制程升级。资料显示，eMRAM是一种基于磁性原理的、非易失性的新型存储技术，属于面向嵌入式领域的MRAM（磁阻存储器）。与传统DRAM相比，eMRAM具备更快存取速度与更高耐用性，不需要像DRAM一样刷新数据，同时写入速度是NAND的1000倍数。基于上述特性，业界看好eMRAM未来前景，尤其是在对性能、能效以及耐用性较高的场景中，eMRAM被寄予厚望。三星电子是eMRAM主要生产商之一，致力于推动eMRAM在汽车领域的应用。三
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存储 工艺 三星
- 在 HBM4 内存带来的几大变化中，最直接的变化之一就是内存接口的宽度。随着第四代内存标准从已经很宽的 1024 位接口升级到超宽的 2048 位接口，HBM4 内存堆栈将不会像以前一样正常工作；芯片制造商需要采用比现在更先进的封装方法，以适应更宽的内存。作为
2024 年欧洲技术研讨会演讲的一部分，台积电提供了一些有关其将为 HBM4
制造的基础模具的新细节，这些模具将使用逻辑工艺制造。由于台积电计划采用其 N12 和 N5 工艺的变体来完成这项任务，该公司有望在 HBM4
制造工艺中占据有
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台积电 12nm 5nm 工艺 HBM4 基础芯片
- 5 月 10 日消息，韩媒 ZDNet Korea 援引业内人士的话称，三星电子的 AI 推理芯片 Mach-1 即将以 MPW（多项目晶圆）的方式进行原型试产，有望基于三星自家的 4nm 工艺。这位业内人士还表示，不排除 Mach-1 采用 5nm 工艺的可能。三星已为 Mach-1 定下了时间表：今年下半年量产、今年底交付芯片、明年一季度交付基于该芯片的推理服务器。同时三星也已获得了 Naver 至高 1 万亿韩元（当前约 52.8 亿元人民币）的预订单。虽然三星电子目前能提供 3nm 代工，但在 M
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三星 AI Mach-1 原型试产 4nm 工艺
- 几个月前，台积电发布了 2023
年年报，但显然，文件中包含的关键信息被遗漏了。在深入探讨之前，我们先来谈谈台积电的 A14，或者说被许多分析师称为技术革命的
A14。台积电宣布，该公司终于进入了"Angstrom 14 时代"，开始开发其最先进的 A14 工艺。目前，台积电的 3 纳米工艺正处于开始广泛采用的阶段。因此，1.4 纳米工艺在进入市场之前还有很长的路要走，很可能会在 2 纳米和 1.8 纳米节点之后出现，这意味着你可以预期它至少会在未来五年甚至更长的时间内出现。著
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台积电 Angstrom 14 1.4纳米 工艺
- 4 月 11 日消息，Meta 公司于 2023 年 5 月推出定制芯片 MTIA v1 芯片之后，近日发布新闻稿，介绍了新款 MTIA 芯片的细节。MTIA v1 芯片采用 7nm 工艺，而新款 MTIA 芯片采用 5nm 工艺，采用更大的物理设计（拥有更多的处理核心），功耗也从 25W 提升到了 90W，时钟频率也从 800MHz 提高到了 1.35GHz。Meta 公司表示目前已经在 16 个数据中心使用新款 MTIA 芯片，与 MTIA v1 相比，整体性能提高了 3 倍。但 Meta 只主动表示
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Meta MTIA 芯片 5nm 工艺 90W 功耗 1.35GHz
- 4月11日消息，根据产业链消息，台积电的2纳米和1.4纳米工艺已经取得了新的进展。据了解，台积电的2纳米和1.4纳米芯片的量产时间已经确定。2纳米工艺的试产将于2024年下半年开始，而小规模量产将在2025年第二季度进行。值得一提的是，台积电在亚利桑那州的工厂也将参与2纳米工艺的生产。到了2027年，台积电将开始推进1.4纳米工艺节点，这一工艺被正式命名为"A14"。按照目前的情况，台积电最新的工艺制程很可能会由苹果率先采用。按照台积电的量产时间表，iPhone 17 Pro将成为首批
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iPhone 17 Pro 台积电 2nm 1.4nm 工艺
- IT之家 2 月 22 日消息，英特尔于北京时间今天凌晨 0 点 30 分举办了 IFS Direct Connect 2024，在宣布 IFS 更名为 Intel Foundry 之外，还公布了未来十年的工艺路线图，尤其提及了 1.4nm 的 Intel 14A 工艺。英特尔在本次活动中宣布了大量的动态信息，IT之家梳理汇总如下：图源：IntelIFS 更名为 Intel Foundry英特尔首席执行官帕特?基辛格（Pat Gelsinger）在本次活动中，宣布 Intel Foundry S
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英特尔 EDA 工艺
- 2023年，随着美国技术制裁的升级，中国半导体行业面临着严峻的挑战，美国对先进芯片制造工具和人工智能处理器的限制更加严格。10月，美国扩大了对半导体晶圆制造设备的出口管制，从战略上限制了中国对较不先进的英伟达数据中心芯片的获取。此举是遏制中国技术进步的更广泛努力的一部分，成功说服日本和荷兰加入限制先进半导体工具出口的行列。这些制裁暴露了中国芯片供应链的脆弱性，促使中国加大力度实现半导体自给自足。国家资金支持国内生产较不先进的工具和零件的举措，取得了显著进展。然而，在开发对先进集成电路至关重要的高端光刻系统
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中国 半导体 工艺
- 10月31日消息，苹果举行新品发布会，线上发布M3系列芯片（M3、M3 Pro以及M3 Max），除了芯片更新苹果还带来了搭载M3系列芯片的MacBook Pro以及24英寸版iMac。这是苹果首次将Pro与Max首次与基础款同时公布，苹果官方在发布会中也表示：这一系列的芯片采用了最新的3nm工艺制程，意味着比当前的M2系列将要「快得吓人」。M3系列芯片信息：M3配备8核CPU，10核GPU，24GB统一内存，速度最高比M2提升20%M3 Pro配备12核CPU，18核GPU，36GB统一内存，速度最高比
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苹果 M3 芯片 3nm 工艺 GPU
- 据武汉市科技局官微消息，日前，半导体芯片生产中的重要工艺设备——“薄膜生长”实验装置在武汉通过验收，这项原创性突破可提升半导体芯片质量。据悉，半导体薄膜生长是芯片生产的核心上游工艺。这套自主研制的“薄膜生长”国产实验装置，由武汉大学刘胜教授牵头，联合华中科技大学、清华大学天津高端装备研究院、华南理工大学、中国科学院半导体研究所、中国科学院微电子研究所等多家单位，历时5年完成。这套“薄膜生长”国产实验装置由“进样腔”、“高真空环形机械手传样腔”等多个腔体和“超快飞秒双模成像系统”、“超快电子成像系统”等多个
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半导体 薄膜生长 工艺
- 目前三星和台积电（TSMC）都已在3nm制程节点上实现了量产，前者于2022年6月宣布量产全球首个3nm工艺，后者则在同年12月宣布启动3nm工艺的大规模生产，苹果最新发布的iPhone 15 Pro系列机型上搭载的A17 Pro应用了该工艺。据ChosunBiz报道，虽然三星和台积电都已量产了3nm工艺，不过两者都遇到了良品率方面的问题，都正在努力提高良品率及产量。三星在3nm工艺上采用下一代GAA（Gate-All-Around）晶体管技术，而台积电沿用了原有的FinFET晶体管技术，无论如何取舍和选
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三星 台积电 工艺 3nm
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