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随着英特尔暂缓向客户推广该公司的18A制造工艺（1.8纳米级），转而将精力转向下一代14A制造工艺（1.4纳米级），英特尔14A的工艺进展就成为业界关注的新焦点。该节点预计将于2027年做好风险生产准备，并于2028年做好量产准备。 英特尔在半导体代工领域的未来极有可能取决于下一代英特尔14A工艺节点能否获得苹果和英伟达等主要客户的认可，首席执行官陈立武强调了客户合作在14A工艺研发过程中的重要意义，并警告说如果没有重大承诺，英特尔可能会停止 14A 的开发，并有可能退出代工业务。如果英特尔真的
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2025 年 6 月 13 日，CellWise 发布了一份关于重大资产出售的草案报告摘要，称其计划将其全资子公司 Silex Sweden 的控制权转让给包括 Bure 和 Creades 在内的七家买家。具体而言，CellWise 的全资子公司将向 Silex Sweden 转让 441,0115 股——相当于交易后总股本的 45.24%——以现金形式进行。根据公告，该交易的定价为23.75亿瑞典克朗。交易前，CellWise 通过其子公司持有 Silex Sweden 的 100%股权，使 Sile
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工艺 制程 半导体制造
X-FAB 硅晶圆厂 SE 在其 180nm XH018 半导体工艺中发布了一种新的隔离类别，该工艺支持更紧凑和高效的单光子雪崩二极管（SPAD）实现。新的隔离类别可以实现更紧密的功能集成、更高的像素密度和更高的填充因子，从而减小芯片面积。SPAD 是许多新兴应用中的关键组件，包括自动驾驶汽车的激光雷达、3D 成像、AR/VR 系统的深度感知、量子通信和生物医学传感。X-FAB 已经在其 180nm XH018 平台上提供多个 SPAD 器件，其有效面积从 10 μm 到 20 μm 不等。这包括一个近红
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日本的研究人员开发了一种聚合物波导，其性能与现有复杂芯片封装中的共封装光学（CPO）方法相似。这可以降低将光学连接添加到芯片封装中的成本，以减少功耗并提高数据速率。CPO 系统需要激光源才能运行，该激光源可以是直接集成到硅光子芯片（PIC）中，也可以是外部提供。虽然集成激光源允许更多连接，但确保一致性可靠性可能具有挑战性，这可能影响整体系统鲁棒性。另一方面，在 CPO 中使用外部激光源（ELS）可以提高系统可靠性。由日本国立先进工业科学技术研究所的 Satoshi Suda 博士领导的研究团队测试了在玻璃
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随着台积电准备在今年晚些时候开始采用其 N2（2nm 级）工艺技术制造芯片，关于 N2 晶圆定价以及后续节点定价的传言已经出现。我们已经知道，据报道，台积电计划对使用其 N30,000 技术加工的晶圆收取高达 2 美元的费用，但现在《中国时报》报道称，该公司将对“更先进的节点”收取每片晶圆高达 45,000 美元的费用，据称这指向该公司的 A16（1.6nm 级）节点。2nm 生产成本高“台积电的 2nm 芯片晶圆代工价格已飙升至每片晶圆 30,000 美元，据传 [更多] 先进节点将达到 45,000
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电子集成技术分为三个层次，芯片上的集成，封装内的集成，PCB板级集成，其代表技术分别为SoC，SiP和PCB（也可以称为SoP或者SoB）芯片上的集成主要以2D为主，晶体管以平铺的形式集成于晶圆平面；同样，PCB上的集成也是以2D为主，电子元器件平铺安装在PCB表面，因此，二者都属于2D集成。而针对于封装内的集成，情况就要复杂得多。电子集成技术分类的两个重要依据：1.物理结构，2.电气连接(电气互连)。目前先进封装中按照主流可分为2D封装、2.5D封装、3D封装三种类型。2D封装012D封装是指在基板的表
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4月29日消息，据MacRumors报道，苹果原计划为iPhone 17 Pro的屏幕配备抗刮抗反射涂层，目前已经取消。消息称，苹果在扩大显示屏涂层工艺方面遇到了问题。此前考虑到Apple生产的数百万台设备，为iPhone显示屏添加防反射涂层的过程太慢了，因此即使它只计划用于Pro机型，今年似乎仍然不可行。三星早在Galaxy S24 Ultra上就开始使用Gorilla Glass Armor面板，也是同类型技术，可以将反射减少75%，在强光、灯光下保持屏幕清晰可见。目前市面上流行的一种AR贴膜就使用了
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财联社4月23日讯（编辑 马兰）据媒体报道，英特尔正委托台积电使用其2纳米制程生产Nova Lake CPU。考虑到英特尔自己拥有18A工艺，且一直宣传该工艺胜过台积电的2纳米技术，这份代工合同可能透露出一些引人深思的讯号。英特尔声称将为客户提供最好的产品，而这可能是其将Nova Lake生产外包给台积电的一个原因。但业内也怀疑，既然18A工艺已经投入了试生产，英特尔将生产外包可能是由于产能需求的驱动，而不是性能或回报等方面的问题。还有传言称，英特尔可能采取双源战略：既使用台积电的2纳米技术生产旗舰产品，
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随着半导体制造复杂性的不断增加，相关的排放量正在以惊人的速度增长。TechInsights Manufacturing Carbon Module?数据显示，位于俄勒冈州的下一代 2nm 晶圆厂将生产 ~30 万 MtCO2e 每年消耗超过 400 GWh 的电力。鉴于对电力和范围 2 排放的依赖，晶圆厂选址也起着重要作用，位于台湾的同等晶圆厂每年产生的排放量几乎是其三倍。有胜利。具有高晶体管密度的精细工艺可以大大减少每个晶体管的辐射。半导体制造的碳中和是可能的，但正如我们将要展示的那样，这需要
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半导体芯片制程技术的创新突破，是包括英特尔在内的所有芯片制造商们在未来能否立足AI和高性能计算时代的根本。年内即将亮相的Intel 18A，不仅是为此而生的关键制程技术突破，同时还肩负着让英特尔重回技术创新最前沿的使命。那么Intel 18A为何如此重要？它能否成为助力英特尔重返全球半导体制程技术创新巅峰的“天命人”？RibbonFET全环绕栅极晶体管技术与PowerVia背面供电技术两大关键技术突破，会给出世界一个答案。攻克两大技术突破 实力出色RibbonFET全环绕栅极晶体管技术，是破除半
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据外媒报道，近日，英特尔投资者关系副总裁John Pitzer在公开澄清了关于基于Intel 18A制程的首款产品——Panther Lake推迟发布的传闻。他表示，Panther Lake仍按计划于今年下半年发布，发布时间并未改变，且英特尔对于目前的进展非常有信心。报道中称，John Pitzer表示当前Panther Lake的良率水平甚至比同期Meteor Lake开发阶段的表现还要略胜一筹。几周前有技术论文指出， Intel 18A制程的SRAM密度表现已与台积电N2工艺相当。“虽然技术比较存在多
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1 月 22 日消息，半导体互联 IP 企业 Blue Cheetah 美国加州当地时间昨日表示，其新一代 BlueLynx D2D 裸晶对裸晶互联 PHY 物理层芯片在三星 Foundry 的 SF4X 先进制程上成功流片（Tape-Out）。Blue Cheetah 在三星 SF4X 上制得的 D2D PHY 支持高级 2.5D 和标准 2D 芯粒封装，总吞吐量突破 100 Tbps 大关，同时在面积和功耗表现上处于业界领先水平，将于 2025 年第二季度初在封装应用中接受硅特性分析。Blue Che
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11 月 12 日消息，消息源 Jukanlosreve 昨日（11 月 11 日）在 X 平台发布推文，曝料称高通第二代骁龙 8 至尊版芯片在 GeekBench 6 单核成绩突破 4000 分，多核性能比初代骁龙 8 至尊版提升 20%。援引消息源信息，高通第二代骁龙 8 至尊版芯片（高通骁龙 8Gen 5）将混合使用三星的 SF2 代工和台积电的 N3P 工艺。消息源还透露高通第二代骁龙 8 至尊版芯片和联发科天玑 9500 芯片均支持可扩展矩阵扩展（Scalable Matrix Extensio
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IT之家 10 月 12 日消息，Eliyan 公司于 10 月 9 日发布博文，宣布在美国加州成功交付首批 NuLink?-2.0 芯粒互连 PHY，该芯片采用 3nm 工艺制造。这项技术不仅实现了 64Gbps / bump 的行业最高性能，还在多芯粒架构中提供了卓越的带宽和低功耗解决方案，标志着半导体互连领域的一次重大突破。IT之家注：芯粒互连 PHY 是一种用于连接多个芯片小块（chiplet）的物理层接口，旨在实现高带宽、低延迟和低功耗的数据传输。Eliyan 的芯片互连 P
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多年来持续试跨越芯片制造工艺代差的华为公司29日表示，通过系统的设计和工程建设能解决算力与分析能力的问题，从而消除在芯片上的代差。未来芯片创新不应只在单点的芯片工艺上，而是应该在系统架构上，要用空间、带宽、能源来换取芯片工艺上的缺陷。据《快科技》报导，在今天的数据大会上，华为常务董事张平安就芯片技术发展发言指出，「通过系统的设计和工程建设可以解决我们整体数字中心的能力、算力和分析能力问题，可以消除我们在芯片上的代差。」张平安说，「在华为看来，AI数据中心耗能非常大，人工智能耗能更多，需要数能结合。」在这之
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工艺 华为 系统设计 芯片代差
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