· 省财政集中投入资金政策
根据韩国媒体 outlet ETNews 的报道，美国和日本正积极通过政府主导的举措将极紫外(EUV)光刻机引入公共研究机构。相比之下，韩国政府在这一领域的推动工作落后于美国和日本，报道暗示。美国 – 国家半导体技术中心加速 EUV 技术采用报告援引行业消息人士称，美国国家半导体技术中心（NSTC）已在纽约的阿尔巴尼纳米技术园区完成了 EUV 光刻设备的安装，并计划从 2025 年 7 月开始为企业提供服务。报告还指出，据称 NSTC 计划在 2026 年推出高 NA EUV 设备——
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EUV 光刻机
据外媒报道，近期，一位匿名英特尔高层提出一种颇具争议的观点：未来晶体管设计，例如GAAFET和CFET架构，可能会降低芯片制造对先进光刻设备的依赖，尤其是对EUV光刻机的需求。这一观点无疑对当前芯片制造技术的核心模式提出了挑战。目前，ASML的极紫外光（EUV）及高数值孔径（high-NA）EUV光刻机在先进制程中扮演关键角色，通过曝光步骤将电路设计转印至晶圆，随后通过沉积和蚀刻工艺形成晶体管结构。然而，该英特尔高层认为，随着GAAFET和CFET等3D晶体管结构的发展，芯片制造将更依赖蚀刻技术，而非单纯
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半导体 high-NA EUV
台积电在阿姆斯特丹举行的欧洲技术研讨会上重申了其对下一代高数值孔径 EUV 光刻工具的长期立场。该公司的下一代工艺技术不需要这些最高端的光刻系统，包括 A16（1.6 纳米级）和 A14（1.4 纳米级）工艺技术。为此，TSMC 不会为这些节点采用 High-NA EUV 工具。“当台积电使用 High-NA 时，人们似乎总是很感兴趣，我认为我们的答案非常简单，”副联席首席运营官兼业务发展和全球销售高级副总裁 Kevin Zhang 在活动中说。“每当我们看到 High-NA 将提供有意义、可衡
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台积电 1.4nm 高数值孔径 EUV
荷兰阿斯麦（ASML）全新机台却让台积电望之却步！ 英媒指出，尽管阿斯麦最新一代的高数值孔径（High-NA）极紫外光（EUV）微影设备性能强大，但因这款机台单价高达4亿美元，台积电高层表示，目前「找不到非用不可的理由」，因此暂时没有计画在A14及其后续制程中导入。路透27日报导，这款先进机台价格逼近4亿美元，几乎是晶圆厂现有最昂贵设备的两倍。 目前，各家芯片制造商正在仔细评估，这款设备在曝光速度以及分辨率上面的提升，是否真的符合如此高昂的价格。台积电技术开发资深副总经理张晓强表示，即便不使用High-N
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台积电 ASML EUV 机台
据 The Elec 报道，三星计划外包用于存储芯片制造的光掩模的生产。到目前为止，该公司一直在内部生产所有光掩模，以防止技术泄漏。Elec 表示，据报道，三星正在评估低端光掩模的潜在供应商，例如 i-line 和 KrF。与此同时，消息人士称，三星计划将 i-line 和 KrF 光掩模外包，以便将这些资源重新分配给 ArF 和 EUV。正如报告所强调的那样，ArF 和 EUV 光掩模更先进，将成为增强三星技术竞争力的关键。据 Business Korea 援引消
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三星 低端光掩模 ArF EUV
5 月 14 日消息，光掩模（版）系生产集成电路所需之模具，是用于光致抗蚀剂涂层选择性曝光的一种结构，其原理类似于冲洗相片时利用底片将影像复制到相片上。韩国科技媒体 TheElec 今日报道称，三星电子正计划将内存芯片制造所需的光掩模生产业务进行外包。据称，目前三星已启动供应商评估流程，候选企业包括日本 Toppan 控股子公司 Tekscend Photomask 和美国 Photronics 旗下 PKL（注：厂址位于京畿道），评估结果预计第三季度公布。TheElec 报道称，三星准备将低端产品（i-
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三星 外包芯片 光掩模 ArF EUV 半导体
据荷兰媒体报道，ASML计划在2028年前将其员工迁入位于荷兰埃因霍温附近的全新Brainport产业园区。这一消息是在ASML与埃因霍温市政府官员共同介绍城市发展计划初步草案时透露的。这一扩张计划引发了全球晶圆制造行业的广泛关注。据Tom's Hardware报道，台积电、英特尔和三星电子等半导体巨头或将从中受益。ASML的扩张如果能按计划推进，将有助于满足全球对极紫外光（EUV）光刻设备的迫切需求，从而加速先进制程的开发与应用。Brainport产业园区的扩张计划大约在一年前首次公开。据荷兰消
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EUV 光刻机 ASML
据媒体报道，荷兰半导体设备制造商ASM International（简称“ASM”）在2025年第一季度财报电话会议上宣布，将立即启动在美国本土的生产计划，以应对美国近期实施的关税政策。今年4月初，美国总统特朗普签署了一项“对等关税”行政令，宣布对包括荷兰在内的欧盟成员国加征25%的钢铁、铝和汽车进口关税，其他商品则面临20%的关税。这一政策覆盖了欧盟对美出口的约70%，总价值高达5320亿欧元。此外，特朗普还计划对暂时豁免的药品、半导体等产品单独加征关税。为避免关税影响，ASM首席财务官Paul Ver
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ASML EUV 芯片工具
根据台积电北美技术研讨会的报告，代工台积电不需要使用高数值孔径极紫外光刻工具在其 A14 （1.4nm） 工艺上制造芯片。该公司在研讨会上介绍了 A14 工艺，称预计将于 2028 年投产。之前已经说过，A16 工艺将于 2026 年底出现，也不需要高 NA EUVL 工具。“从 2nm 到 A14，我们不必使用高 NA，但我们可以在加工步骤方面继续保持类似的复杂性，”据报道，业务发展高级副总裁 Kevin Zhang 在发布会上说。这与英特尔形成鲜明对比，英特尔在积极采用高 NA 方面一直积极实施一项计
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台积电 高NA EUV 光刻技术
三星电子和ASML曾于2023年12月宣布共同投资7亿欧元（约1万亿韩元），在大都市地区建立极紫外（EUV）研究中心，致力于打造面向未来的半导体制造设备以保持三星在先进工艺制程技术的领先性。针对这次合作，ASML特别与韩国土地住宅公社（LH）签订了在京畿道华城购买6个地块（约 19,000 平方米）的合同以建设研发中心。不过最近这项计划可能出现了一些变动， ASML最近出售了其中的两块地块，并且正在处理另外两块地块。尽管还剩下两个地块，但ASML似乎没有计划在剩余的空间里与三星建立研发中心。 ASML 是
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三星电子 ASML EUV
近日，英特尔前CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）宣布加入xLight，担任董事会执行董事长，xLight官网上个月也公布了这一消息。xLight是一家面向极紫外（EUV）光刻机开发基于直线电子加速器的自由电子激光（FEL）技术的EUV光源系统的初创公司。xLight虽然规模很小，但其团队在光刻和加速器技术领域拥有多年的经验，不仅拥有来自斯坦福直线加速器和其他地方的粒子加速器资深研究人士，其首席科学家Gennady Stupakov博士还是2024年IEEE核能和等离子体科学学会粒子加速器科学
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英特尔 EUV ASML xLight LPP FEL 光刻
2nm GAA 工艺进展被传顺利，但三星的目标是通过推出自己的 1nm 工艺来突破芯片开发的技术限制。一份新报告指出，该公司已经成立了一个团队来启动这一工艺。然而，由于量产目标定于 2029 年，我们可能还需要一段时间才能看到这种光刻技术的应用。1nm 晶圆的开发需要“高 NA EUV 曝光设备”，但目前尚不清楚三星是否已订购这些机器。另一方面，台积电也正在推出
2 纳米以下芯片，据报道，这家台湾半导体巨头已于 4 月初开始接受 2 纳米晶圆订单。至于三星，在其 2 纳米 GAA
技术的试产过程中
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三星 1nm 芯片 台积电 NA EUV
近日，荷兰半导体设备制造商ASML宣布，计划在日本将其先进的极紫外光（EUV）芯片工具的员工人数扩增五倍，这一举措旨在加强其在全球半导体市场的竞争力。随着全球对高性能芯片需求的激增，ASML的这一决策不仅能提升其在日本的业务运营，也将进一步推动当地半导体产业的发展。ASML在全球的影响力不断增强，特别是在EUV技术方面，该技术被认为是制造下一代高性能芯片的关键。随着日本在半导体制造领域的持续投入，ASML的扩张计划将有助于促进当地人才的培养及技术的进步。此外，ASML的扩展计划正值日本其他半导体公司如Ra
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ASML EUV 芯片工具
对支持一切 AI 的先进节点芯片的需求迅速增长，这给该行业满足需求的能力带来了压力。从为大型语言模型提供支持的超大规模数据中心，到智能手机、物联网设备和自主系统中的边缘 AI，对尖端半导体的需求正在加速。但制造这些芯片在很大程度上依赖于极紫外 （EUV） 光刻技术，这已成为扩大生产规模的最大障碍之一。自 2019 年第一批商用 EUV 芯片下线以来，设备、掩模生成和光刻胶技术的稳步改进使该技术稳定下来。但是，虽然良率正在提高，但它们仍然落后于更成熟的光刻技术。工艺稳定性需要时刻保持警惕和微调。就 EUV
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EUV AI芯片
除了 ArF 空白掩膜，三星还在加大力度将其他高度依赖日本的材料本地化。
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三星电子 EUV
euv介绍
在半导体行业，EUV一般指EUV光刻，即极紫外光刻。
极紫外光刻（英语：Extreme ultra-violet，也称EUV或EUVL）是一种使用极紫外（EUV）波长的光刻技术。
EUV光刻采用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源，可使曝光波长一下子降到13.5nm,它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸。
根据瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），这么短的波长可以提供极高 [
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