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2025年全球半导体资本设备市场规模为1160亿美元，预计到2034年将达到2105.8亿美元左右，2025年至2034年复合年增长率为6.85%。到 2024 年，北美市场规模将超过 510.2 亿美元，并在预测期内以 6.96% 的复合年增长率扩张。市场规模将超过 510.2 亿美元，并在预测期内以 6.96% 的复合年增长率扩张。2024年全球半导体资本设备市场规模为1085.6亿美元，预计将从2025年的1160亿美元增长到2034年的约2105.8亿美元，2025年至2034年复合年增长率为6.
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半导体 设备 光刻技术
Inversion Semiconductor Inc.（加利福尼亚州旧金山）是一家 2024 年的初创公司，计划利用粒子加速为下一代光刻技术开发更亮、更可调的光源。该公司表示，与现有系统相比，它将能够以高达 15 倍的速度制造芯片，并且具有更精细的功能。Inversion 加入 Lace Lithography 是一家初创公司，希望取代或至少被视为成熟的光刻市场领导者 ASML Holding NV 的替代品。当然，这两家初创公司都看到了使用 13.5nm 波长的极紫外光进行光刻胶闪光曝光的进一步开发的
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Inversion Semiconductor 光刻技术
根据台积电北美技术研讨会的报告，代工台积电不需要使用高数值孔径极紫外光刻工具在其 A14 （1.4nm） 工艺上制造芯片。该公司在研讨会上介绍了 A14 工艺，称预计将于 2028 年投产。之前已经说过，A16 工艺将于 2026 年底出现，也不需要高 NA EUVL 工具。“从 2nm 到 A14，我们不必使用高 NA，但我们可以在加工步骤方面继续保持类似的复杂性，”据报道，业务发展高级副总裁 Kevin Zhang 在发布会上说。这与英特尔形成鲜明对比，英特尔在积极采用高 NA 方面一直积极实施一项计
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台积电 高NA EUV 光刻技术
据媒体报道，3月5日，ASML发布2024年度报告，首席执行官克里斯托弗·福凯（Christophe Fouquet）表示，如果展望ASML的未来增长，光刻技术无疑仍然是摩尔定律的主要驱动力之一，相信这一点在未来许多年里依然成立。与此同时，二维收缩（2D shrink）正变得越来越困难。这并不完全是由于光刻技术的局限性，而是因为我们几乎达到了逻辑和存储器客户所使用的晶体管的极限。为了继续在二维收缩方面取得进展，需要在架构和器件上进行创新。这意味着需要进行三维前道整合（3D front-end integr
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ASML 2D shrink 光刻技术 三维整合
据中国光谷官微消息，近日，武汉太紫微光电科技有限公司（以下简称“太紫微公司”）推出的T150 A光刻胶产品，已通过半导体工艺量产验证，实现配方全自主设计，有望开创国内半导体光刻制造新局面。据悉，该产品对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。相较于被业内称之为“妖胶”的国外同系列产品UV1610，T150 A在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到120nm，且工艺宽容度更大，稳定性更高，坚膜后烘留膜率优秀，其对后道刻蚀工艺表现更为友好，通过验证发现T150 A中密集图形经过刻蚀，下层介质的侧壁垂直度表现优异。据了
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太紫微光电 光刻胶 光刻技术
位于日本筑波的高能加速器研究组织（KEK）的一组研究人员认为，如果利用粒子加速器的力量，EUV光刻技术可能会更便宜、更快、更高效。
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摩尔定律 粒子加速器 EUV 光刻技术
对于半导体行业而言，光刻技术和设备发挥着基础性作用，是必不可少的。所谓光刻，就是将设计好的图形从掩模版转印到晶圆表面的光刻胶上所使用的技术。光刻技术最先应用于印刷工业，之后长期用于制造印刷电路板（PCB），1950 年代，随着半导体技术的兴起，光刻技术开始用于制造晶体管和集成电路（IC）。目前，光刻是 IC 制造过程中最基础，也是最重要的技术。在半导体产业发展史上，光刻技术的发展经历了多个阶段，接触/接近式光刻、光学投影光刻、分步（重复）投影光刻出现时间较早，集成电路生产主要采用扫描式光刻、浸没式扫描光刻
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EUV 光刻技术
本周美光宣布，采用全球先进1β(1-beta)制造工艺的DRAM内存芯片已经送样给部分手机制造商、芯片平台合作伙伴进行验证，并做好了量产准备。1β工艺可将能效提高约15％，存储密度提升35％以上，单颗裸片(Die)容量高达16Gb(2GB)。一个值得关注的点是，美光称，1β绕过了EUV（极紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。这意味着相较于三星、SK海力士，美光需要更复杂的设计方案。毕竟，DRAM的先进性很大程度上取决于每平方毫米晶圆面积上集成更多更快半导体的能力，各公司目前通过不断缩小电路
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美光 EUV 光刻技术
今年7月，在中国科学院官网上发布了一则研究进展，中科院苏州所联合国家纳米中心在《纳米快报》（Nano Letters）上发表了题为《超分辨率激光光刻技术制备5纳米间隙电极和阵列》（5 nm Nano gap Electrodes and Arrays by a Super-resolution Laser Lithography）的研究论文，介绍了该团队研发的新型5 纳米超高精度激光光刻加工方法。该论文发表在《纳米快报》（NanoLetters）。图截自官网ACS官网 消息一经发出，外界一片沸腾，一
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中科院 光刻技术 ASML
9月17日，2019中国集成电路设计大会在青岛市崂山区正式召开， 中科院院士刘明在演讲中指出，国内的光刻技术与国外......
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光刻技术 集成电路
来自比利时的IMEC总裁LucVandenhove博士在2012年中国国际半导体技术大会(CSTIC2012)上带来精彩的视频动画，将会议现场的人们带到了2020年，使观众身临其境感受未来的互联时代。
IMEC展示的视频中的2020年人们生活将实现随时随地的互联。要想实现这样的华丽的互联技术，就需要半导体产业的发展为前提，需要半导体高新技术的支持。因此，在未来的10年里，将如何推动半导体技术的发展摆在我们面前，这也正是Luc Van博士演讲的所要说的——“半导
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半导体 光刻技术
台积电与Globalfoundries是一对芯片代工行业的死对头，不过他们对付彼此的战略手段则各有不同。举例而言，在提供的产品方面，Globalfoundries在28nm制程仅提供HKMG工艺的代工服务(至少从对外公布的路线图上看是这样)，而相比之下，台积电的28nm制程则有HKMG和传统的多晶硅栅+SION绝缘层两种工艺可供用户选择。另外，两者对待450mm技术的态度也不相同，台积电是450mm的积极推进者，而Globalfoundries及其IBM制造技术联盟的伙伴们则对这项技术鲜有公开表态。
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台积电 光刻技术
芯片尺寸在接下来的几年将持续微缩，不过芯片制造商也面临许多挑战。在美国旧金山举行的国际固态电路会议(ISSCC)上，英特尔(Intel)资深院士、制程架构与整合总监Mark Bohr列出32奈米以下制程节点遭遇的五大障碍/挑战，也提出了有潜力的解决方案。
1. 光刻技术(patterning or lithography)
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英特尔 光刻技术 晶体管 嵌入式内存
2004年6月A版
在摩尔定律的指引下，半导体工业每两至三年就跨上一个新的台阶，即所谓的半导体技术发展路线图(ITRS)。预计2004年进入90nm节点器件的批量生产，到2007年为65nm。然而这一切变化的关键是光刻技术，所以人们统称光刻技术是半导体工业的“领头羊”。2003年ITRS修订的最新版本如表1所示。
随着集成电路产品技术需求的提升，光刻技术也不断地提高分辨率，以制作更微细的器件尺寸。全球光刻技术的进程如图1所示。
传统上提高光刻技术的分辨率无非是缩短曝光波长及增大镜头的数值
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光刻技术 其他IC 制程
光刻技术介绍
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