白娥娟获《人气歌谣》冠军 激动落泪致谢朴轸永
意法半导体（简称ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技术。第四代技术有望在能效、功率密度和稳健性三个方面成为新的市场标杆。在满足汽车和工业市场需求的同时，意法半导体还针对电动汽车电驱系统的关键部件逆变器特别优化了第四代技术。公司计划在2027年前推出更多先进的SiC技术创新成果，履行创新承诺。意法半导体模拟、功率与分立器件、MEMS和传感器产品部（APMS）总裁Marco Cassis表示：“意法半导体承诺为市场提供尖端的碳化硅技术，推动电动汽车和高能效工业的未来发展。我们将继续在器
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STPOWER SiC MOSFET 驱动逆变器
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品，为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗。东芝现已开始提供该系列的十款新产品，其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。最新TRSxxx120Hxx系列为1200 V产品，其采用东芝第3代650 V SiC SBD的改进型结势垒肖特基（JBS）结构[1]。在结势垒中使用新型金属，有
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东芝 SiC 肖特基势垒二极管 工业电源
与Si材料相比，SiC半导体材料在物理特性上优势明显，比如击穿电场强度高、耐高温、热传导性好等，使其适合于制造高耐压、低损耗功率器件。本篇章带你详细了解SiC材料的物理特性。SiC作为半导体功率器件材料，具有许多优异的特性。4H-SiC与Si、GaN的物理特性对比见表1。与Si相比，4H-SiC拥有10倍的击穿电场强度，可实现高耐压。与另一种宽禁带半导体GaN相比，物理特性相似，但在p型器件导通控制和热氧化工艺形成栅极氧化膜方面存在较大差异，4H-SiC在多用途功率MOS晶体管的制备方面具有优势。此外，由
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三菱电机 SiC
SiC晶体中存在各种缺陷，对SiC器件性能有直接的影响。研究清楚各类缺陷的构成和生长机制非常重要。本文带你了解SiC的晶体缺陷及其如何影响SiC器件特性。在SiC晶体中存在各种缺陷，其中一些会影响器件的特性。SiC缺陷的主要类型包括微管、晶界、多型夹杂物、碳夹杂物等大型缺陷、以及堆垛层错（SF）、以及刃位错（TED）、螺旋位错（TSD）、基面位错（BPD）和这些复合体的混合位错。就密度而言，最近质量相对较好的SiC晶体中，微管是1?10个/cm2，位错的密度约为103～10?长达个/cm2。至今，与Si相
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三菱电机 SiC
我们采用单全桥LLC拓扑结构，以获得高效率和合理的成本。它由U60和Q60、Q62、Q70、Q72等组成。NCV4390（U60）是一种电流模式高级LLC控制器。它是FAN7688的引脚到引脚兼容设备。如果您在网站上找不到该设备，可以参考FAN7688的说明。有关该零件的更多详细信息，请参阅数据表和应用说明。由于输出电压高（250?450
Vdc），同步整流器对整流器的帮助不大传导损失。因此，我们省略了NCV4390的SR功能。NCV57000是一款具有内部电隔离功能的大电流单通道IGBT驱动器。
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车载电动汽车充电器 NVHL060N090SC1 SiC
8月29日上午，备受瞩目的2024年武汉铁人三项亚洲杯赛、2024年武汉全国铁人三项冠军杯系列赛暨U系列冠军杯赛、2024年中国·武汉铁人三项公开赛新闻发布会成功召开。发布会上，赛事组委会发布了赛事宣传片、赛事分组、竞赛距离、竞赛日程、公开赛标志、赛事奖牌等相关内容。武汉市体育局党组成员、副局长洪旭艳，江夏区人民政府党组成员、副区长梁爽出席此次发布会；武汉市社会体育指导中心副主任邱海防代表武汉市体育局发布赛事信息；江夏区文化和旅游局（体育局）局长缪璐进行江夏区文旅推介，向社会各界发出“跟着赛事游江夏”的邀
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罗姆 SiC MOSFET 极氪
8月13日，新洁能发布公告称，拟将此前募投项目中的“第三代半导体 SiC/GaN
功率器件及封测的研发及产业化”项目达到预定可使用状态日期延期至2025年8月。此次延期是受宏观环境等不可控因素的影响，项目的工程建设、设备采购及人员安排等相关工作进度均受到一定程度的影响，无法在计划时间内完成。据悉，此次延期项目属新洁能二厂区扩建项目，项目总投资约2.23亿元，2022年开建，原计划2024年建设完成。项目建成后，将实现年产 SiC/GaN 功率器件2640万只。新洁能称，本次募投项目延期仅涉及项目进度的
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新洁能 SiC GaN 功率器件 封测
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）将于8月28日～30日参加在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办的2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会（以下简称PCIM Asia）（展位号：11号馆D14）。届时，将聚焦碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体，展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。同时，罗姆工程师还将在现场举办的“宽禁带半导体器件— 氮化镓及碳化硅论坛”以及“电动汽车论坛”等同期论坛上发表演讲，分享罗姆最新的功率电子技术成果。展位效果图罗姆拥有世界先进的碳化硅
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罗姆 SiC 氮化镓 GaN
潮流就是即便你放弃了我，也不妨碍我越来越火。距离特斯拉宣布放弃碳化硅已经过去了一年，这个市场非但没有被抛弃，反而以 GaN、SiC 为代表的第三代半导体发展备受关注：Yole 数据显示，2026 年 GaN 市场规模预计可达 6.72 亿美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半导体市场规模有望突破 60 亿美元。预测是人算不如天算，第三代半导体优势已经被讲的翻来覆去了，市场的反馈是最真实和残酷的—很火但不是主流。碳化硅与新能源车能不能齐飞？新能源是第三代半导体应用的重要驱动力。新能源车的最大
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GaN SiC
7月22日，苏州悉智科技有限公司（以下简称“悉智科技”）宣布，其首批车规级功率模块量产产品正式下线投产。悉智科技表示，此次下线的首批量产模块，是悉智科技自研的高端电驱SiC塑封功率模块产品。在SiC DCM塑封功率模块的定制化开发上，悉智科技取得了显著进展，目前该产品已获取到客户的量产订单，并会在今年四季度实现大规模量产。资料显示，悉智科技自2025-08-04正式运营以来，始终专注于车规级功率与电源模块的研发与生产，致力于为智能电动汽车、光储新能源等客户提供深度定制化的解决方案。目前，该公司已在苏州建成具
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图1 半导体对许多新兴绿色科技至关重要毋庸置疑，从社会发展的角度，我们必须转向采用可持续的替代方案。日益加剧的气候异常和极地冰盖的不断缩小，清楚地证明了气候变化影响的日益加剧。但有一个不幸的事实是，摆脱化石燃料正被证明极其困难，向绿色技术的转变也带来了一系列技术挑战。无论是生产要跟上快速扩张的市场步伐，还是新解决方案努力达到现有系统产出水平，如果我们要让化石燃料成为过去，这些难题都必须被克服。对于电动汽车（EV）和太阳能电池板等应用，工程师面临着更多的挑战，因为敏感的电子元件必须在恶劣的环境中持续可靠地运
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碳化硅场效应晶体管(SiC FET)接近于理想的开关，具有低损耗、宽带隙技术和易于集成设计等优势。Qorvo的SiC FET技术如今以高效模块化产品的形式呈现;本文探讨了这种产品形态如何使SiC FET成为太阳能逆变器应用的理想之选。
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6月23日，瞻芯电子宣布，公司基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC
MOSFET产品已经通过车规级可靠性(AEC-Q101)测试认证。同时，瞻芯电子第三代1200V SiC
MOSFET工艺平台正式量产，后续将依托浙江义乌的车规级SiC晶圆厂推出更多第三代SiC MOSFET产品。瞻芯电子成立于2017年，是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司，致力于开发碳化硅(SiC)功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模块产品。瞻芯电子表示，第三代1200V 13
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瞻芯电子 SiC MOSFET 车规认证
据TrendForce集邦咨询研究显示，2023年全球SiC功率元件产业在纯电动汽车应用的驱动下保持强劲成长，前五大SiC功率元件供应商约占整体营收91.9%，其中ST以32.6%市占率持续领先，onsemi则是由2022年的第四名上升至第二名。TrendForce集邦咨询分析，2024年来自AI服务器等领域的需求则显著大增，然而，纯电动汽车销量成长速度的明显放缓和工业需求走弱正在影响SiC供应链，预计2024年全球SiC功率元件产业营收年成长幅度将较过去几年显著收敛。作为关键的车用SiC
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SiC 功率元件 ST
随着全球对于电动汽车接纳程度的逐步提升，碳化硅（SiC）在未来十年将会迎来全新的增长契机。预计将来，功率半导体的生产商与汽车行业的运作方会更踊跃地参与到这一领域的价值链建设里。SiC 作为第三代半导体以其优越的性能，在今年再次掀起风潮。6 英寸到 8 英寸的过渡推动由于截至 2024 年开放 SiC 晶圆市场缺乏批量出货，因此 8 英寸 SiC 平台被认为具有战略性意义。SiC 具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度和高迁移率等特点，是良好的半导体材料，目前已经在汽车电子、工业半导体等领域有
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SiC
sic介绍
SiC是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或β－SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目；另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有6H、4H、15R等，统称为α－SiC。与Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境，并具有极好的抗辐射性能.
Si [
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