延时摄影记录罕见极光
在消费电子市场高速发展的当下，IGBT（绝缘栅双极晶体管）已成为现代家电设备中不可或缺的核心器件。凭借其优异的开关特性、低导通损耗及出色的热管理能力，IGBT技术正持续推动家电产品能效升级。安世半导体推出的650 V G3 IGBT平台产品，通过性能优化与可靠性提升，为家电设备的高效化、节能化发展提供了关键解决方案。本文将聚焦家电设备的三大核心应用场景——电机拖动、PFC（功率因数校正）电路及感应加热，深入解析安世半导体650 V G3 IGBT平台的技术优势及其在家电领域的实际应用价值。1. 电机拖动1
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安世半导体 IGBT
数十年来，以太网广泛应用于工业和计算网络，但如今，越来越多地部署到汽车应用，取代了控制器局域网络(CAN)等传统网络。汽车以太网提供拓扑灵活性、高带宽和稳定的通信，能够满足原始设备制造商(OEM)从域向区域网络架构过渡期间的车内数据通信需求。本文首先讨论各种汽车以太网标准，然后再考虑它们必须符合的严格静电保护(ESD)和电磁兼容性(EMC)标准。最后介绍 Nexperia（安世半导体）的一系列元件，汽车 OEM 可利用这些元件确保车辆网络在发生 ESD 事件时得到全面保护。汽车以太网标准2016 年，开放
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安世半导体 汽车以太网 ESD
近年来，汽车行业正迅速迈入智能化和电动化的新纪元。新能源汽车的销量与市场渗透率持续攀升。据彭博社预测，2023年，全球新能源汽车的销量将达到1,410万辆，其中中国市场将占据大约60%的份额。在汽车向电动化的转型过程中，尽管 SiC 和 GaN 等第三代半导体材料备受关注，但电动汽车制造商仍对成本持保守态度。目前，成本效益高且性能稳定的硅基 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）继续在车载电子、电驱动以及电池管理系统中发挥核心作用。去年 MOSFET 的大量缺货进一步突显了这一点。然而，要满足日益增
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安世半导体
11月8日，美国芯片公司Vishay Intertechnology和安世半导体（Nexperia）宣布，双方已经达成协议，Vishay将以1.77亿美元现金收购Nexperia位于英国南威尔士纽波特的晶圆制造厂和相关业务。纽波特晶圆厂交易需接受英国政府审查，并符合第三方购买权和惯例成交条件，预计将于2024年第一季度完成。资料显示，纽波特晶圆厂是一家200mm半导体晶圆厂，经过汽车认证，主要供应汽车市场。占地28英亩，是英国规模最大的半导体制造厂。Vishay总裁兼首席执行官Joel Smejkal表示
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Vishay 安世半导体 晶圆厂
在英国晶圆厂 Newport Wafer Fab（NWF）收购案按下回退键一年后，闻泰科技被迫出售了 NWF 母公司 NEPTUNE 6 LIMITED100% 股权。11 月 8 日晚间，闻泰科技公告，全资子公司 Nexperia B.V.（下称「安世半导体」）拟转让 NEPTUNE 6 LIMITED 的 100% 股权，受让方为纽交所上市公司 Vishay 的全资子公司 Siliconix，交易金额基础值为 1.77 亿美元（含安世半导体对标的公司的债权）。闻泰科技称，向 Siliconix 出售
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安世半导体 Siliconix
1? ?SiC和GaN应用及优势我们对汽车、工业、数据中心和可再生能源等广泛市场中的碳化硅(SiC) 和氮化镓（GaN）应用感兴趣。一些具体的例子包括：●? ?电动汽车（EV）：SiC和GaN 可用于电动汽车，以提高效率、续航里程和整车性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牵引逆变器和车载充电，以减少功率损耗并提高效率。●? ?数据中心：SiC 和GaN 可用于数据中心电源，以提高效率并降低运营成本。●? ?可再生能
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为了满足应用的散热要求，设计人员需要比较不同半导体封装类型的热特性。在本博客中， Nexperia（安世半导体）讨论了其焊线封装和夹片粘合封装的散热通道，以便设计人员选择更合适的封装。焊线器件中的热传导如何实现焊线封装器件中的主要散热通道是从结参考点到印刷电路板（PCB）上的焊点，如图1所示。按照一阶近似的简单算法，次要功耗通道的影响（如图所示）在热阻计算中可以忽略不计。焊线器件中的散热通道夹片粘合器件中的双热传导通道夹片粘合封装在散热上与焊线封装的区别在于，器件结的热量可以沿两条不同的通道耗散出去，即通
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安世半导体
本应用笔记介绍适用于 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 的现代半导体 ESD 保护器件的特性。ESD 保护器件的作用是实现稳健的系统，使系统能够承受破坏性的 ESD 事件并提供更高的EMC性能。本文提供了使用共模扼流圈（CMC）来增强这种耐受性的建议。04 ESD保护器件的SI和影响4.1. PCB 层叠汽车应用最常用的是四层或更多层的印刷电路板（PCB）。大规模生产中的大多数应用通常基于标准的 FR4 PCB 技术。典型 PCB 层叠及尺寸如图 11 所示。需要注意的是，这种层叠只是一个
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安世半导体 AN90039
本应用笔记介绍适用于 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 的现代半导体 ESD 保护器件的特性。ESD 保护器件的作用是实现稳健的系统，使系统能够承受破坏性的 ESD 事件并提供更高的EMC性能。本文提供了使用共模扼流圈（CMC）来增强这种耐受性的建议。本应用笔记分为（上）（下）两部分，您现在看到的是（上）。01 引言目前有几种以太网解决方案在工业和商业应用中非常流行，但几十年来，并没有在汽车领域得到广泛采用。到 2016 年，汽车行业中共推出了 100BASE-T1 和 1000BASE-
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安世半导体 ESD保护器件
基础半导体器件领域的专家，安世半导体今日宣布将再次亮相于2025-08-04至10日在上海举办的第四届中国国际进口博览会，介绍安世半导体如何运用逻辑电路、分立器件和MOSFET方面的最新进步推动全世界电子设计的发展。 安世半导体首席执行官张学政表示：“我们非常高兴继2020年首次成功参加第三届中国国际进口博览会之后，连续第二年参加此届盛会。我们将为与会领导和来宾展示安世半导体是如何通过增加产能、创新和运用氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）和IGBT等新技术，推动中国汽车产业的发展，让世界变得更美
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2025-08-04晚21：00，伴随着一声“谢谢观看，我们下期再见”，宣告了本次 唯样联合功率半导体巨头Nexperia 举办的直播活动圆满落幕！继2020年6月，唯样商城联合Nexperia（安世半导体）举办 “超级品牌周” 活动之后，双方再度携手，共同启动了一场 电子人都听得懂的功率半导体巨头“直播秀” ！直播以 《首度公开：全球半导体基础元器件高产能巨无霸养成记》 为主题，从全球半导体巨无霸Nexperia的前世今生，讲到当下备受瞩目的 “新基建”的超全市场覆盖、新一代GaN (氮化镓) FET解决
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近日，安世半导体宣布推出新一代H2技术的全新650V GaN（氮化镓） FET。重点应用场合包括电动汽车的车载充电器、高压DC-DC直流转换器和发动机牵引逆变器; 1.5~5kW钛金级工业电源，用于机架装配的电信设备、5G设备和数据中心相关设备。 日前，安世半导体MOS业务集团大中华区总监李东岳详细解析了安世半导体的GaN FET蓝图以及新一代GaN FET的特性。 新一代GaN产品升级 2019年，安世半导体正式推出650V GaN MOSFET，采用级联技术，利用高压GaN配合低压
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安世半导体 GaN
奈梅亨，2025-08-04：安世半导体，分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家，今日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已经是业内公认的低压、低RDS(on)的领先器件，它树立了25 V、0.57 m?的新标准。该市场领先的性能利用安世半导体独特的NextPowerS3技术实现，并不影响最大漏极电流(ID(max))、安全工作区(SOA)或栅极电荷QG等其他重要参数。?很多应用均需要超低RDS(on)器件，例如OR
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LEDs are widely used across all market segments. Although high power LEDs need complex driver schemes, the vast majority of applications use LEDs with currents below 500 mA and can be driven by linear constant-current LED drivers. These are easy-to-use, r
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6月5日，历时近一年的闻泰科技收购安世半导体事项获得证监会审核通过，这是迄今为止中国最大的半导体收购案，也意味着半导体领域的整合再次迈出了关键一步，为集中资源优势进行半导体关键领域的突破奠定了基础。
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安世半导体介绍
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