黄河壶口瀑布新春开河迎客来
- 存储器解决方案的全球领导者铠侠株式会社近日宣布，该公司已开始提供业界首款(2)面向车载应用的通用闪存(3)(UFS)4.0版嵌入式闪存设备的样品(1)。新产品性能高，采用小型封装，提供快速的嵌入式存储传输速度，适用于多种新一代车载应用，诸如车载远程信息处理系统、信息娱乐系统以及ADAS系统(4)。铠侠车载UFS产品的性能显著提升(5)，顺序读取速度提升约100%，顺序写入速度也提升约40%。通过性能提升，相关应用能够更好地利用5G连接的优势，带来更快的系统启动速度和更优质的用户体验。作为首家推出UFS技术
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铠侠 UFS 4.0 嵌入式闪存
- 格芯（GlobalFoundries）与Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）及其旗下子公司Silicon Storage Technology? （SST?）近日宣布，采用 GF 28SLPe 制程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技术NVM 解决方案即将投产。在实施SST广泛部署的ESF3 SuperFlash技术方面，格芯确立了新的行业基准。该实施方案具有以下功能和优势：●? ?成本最低的28纳米HKMG ESF3解决方案，仅增加了
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格芯 Microchip SuperFlash 嵌入式闪存
- 为了继续推动通用闪存(1)（UFS）技术的发展，全球存储器解决方案的领导者铠侠株式会社近日宣布，具有更高性能的第二代UFS 4.0嵌入式闪存设备已开始送样(2)。以小封装尺寸提供快速的嵌入式存储传输速度，适用于各种下一代移动应用。铠侠 UFS 产品性能的改进使这些应用程序能够利用 5G 的连接优势，从而加快下载速度、减少延迟时间并改善用户体验。铠侠UFS 4.0产品将BiCS FLASH? 3D 闪存和控制器集成在?JEDEC 标准封装中，并结合了?MIPI M-PHY 5.0 和&n
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铠侠 UFS 4.0 嵌入式闪存
- 全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业——华虹半导体有限公司近日宣布，最新推出90纳米超低漏电（Ultra-Low-Leakage，ULL）嵌入式闪存（eFlash）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）工艺平台，满足大容量微控制器（MCU）的需求。该工艺平台作为华虹半导体0.11微米超低漏电技术的延续，以更低的功耗和成本为客户提供具有竞争力的差异化解决方案，适用于物联网、可穿戴式设备、工业及汽车电子等方面的应用。 新近推出的90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台1.5V
核心N型和P型MOS晶体管
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嵌入式闪存
- 华虹半导体有限公司宣布其第三代90 纳米嵌入式闪存（90nm eFlash）工艺平台已成功实现量产。
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华虹 90纳米 嵌入式闪存
- 30年的低成本创新中国有句俗话叫“30年河东，30年河西”，Altera在1984年发布了第一款非易失PLD EP300器件，30年间，可编程器件在性能上不断发展甚至挑战摩尔定律，工艺技术也有了长足的进步，电子设计领
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MAX10 FPGA 嵌入式闪存 Altera
- 日前，意法半导体(ST)宣布在基于ARM Cortex-M系列处理器内核的微控制器研发项目上取得突破，推出全球业内首款采用90nm技术嵌入式闪存的微控制器。目
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嵌入式闪存 微控制器 Cortex-M
- 全球闪存解决方案领导厂商闪迪公司日前宣布推出新一代 iNAND Extreme? 嵌入式闪存盘 (EFD) – 这是迄今为止闪迪推出的最快、最薄、最精良的嵌入式存储产品。 容量高达 64GB1 的 iNAND Extreme 样品已送至全球精选客户手中。全球移动设备制造商能够藉此突破设计瓶颈，推出新一代超高响应速度和优异性能的安卓智能手机和平板电脑。
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闪迪 嵌入式闪存 iNAND Extreme
- MCU市场波澜再起。国内闪存供应商兆易创新近日发布基于ARMCortexTM-M3内核GD32F103系列32位通用MCU产品。与此同时，富士通子公司富士通半导体宣布退出MCU业务，作价约1.1亿美元以及6500万美元库存卖给另一闪存芯片供应商Spansion(飞索)。一进一退之间的MCU市场变化都指向两个“超现实”问题：一是闪存厂商进入MCU市场有何优势?二是国内厂商在32位MCU市场到底有多大腾挪空间?
进为可攻
嵌入式闪存已成为MCU市场中最为重要的一种差异化
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MCU 嵌入式闪存
- X-FAB Silicon Foundries 在XH018 0.18um高压工艺上增加高可靠性的嵌入式闪存(eFlash)方案。此方案提供了业界最少的光罩版数，32层，其中包含数字、模拟、高压元件、并闪存，而闪存只要额外2层光罩。对高阶片上混合信号系统芯片(SoCs)，此方案具有极高的性价比，其中的45V高压元件与嵌入式内存，EEPROM、非挥发性随机内存(NVRAM) 、嵌入式闪存(eFlash)，更适用于高速微处理器、数字电源、和车用电子。
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X-FAB 嵌入式闪存
- 上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一，宣布其代工的0.13微米嵌入式闪存首个产品已成功进入量产阶段。
宏力半导体的0.13微米嵌入式闪存制程结合了其基于SST SuperFlash®(1)上已经量产的自对准分栅闪存技术和自身的0.13微米逻辑技术。闪存单元尺寸只有0.38平方微米，是目前0.13微米技术节点上最小的单元尺寸，其卓越的性能还能支持最大到16Mbit的SoC设计，在业内十分具有竞争力。
这一最小的单元同时还满足了编程效率
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宏力半导体 嵌入式闪存 0.13微米
- 2025-08-04，国家金卡工程协调领导小组办公室在北京举行了“2010年度国家金卡工程优秀成果金蚂蚁奖”颁奖仪式。世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)自主研发的“SONOS 0.13微米嵌入式闪存(eFlash)技术”荣获“2010年度国家金卡工程优秀成果金蚂蚁奖-优秀应用成果奖”，这是华虹NEC连续第三年获得这一殊荣。此次获奖是对华虹NEC在智能卡领域多年来所
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华虹NEC 晶圆代工 嵌入式闪存
- TSMC今日宣布推出0.18微米车用嵌入式闪存硅知识产权，是TSMC第二代符合AEC-Q100产品高规格认证之硅知识产权，适用于广泛的车用电子产品。
TSMC 0.18微米车用嵌入式闪存硅知识产权与0.25微米嵌入式闪存硅知识产权相较，减少了百分之二十七的芯片尺寸。现今0.18微米技术世代拥有已经大量开发的硅知识产权，并能支持多种应用，同时达到低成本与高效能的综效。运用TSMC获认证的0.18微米车用嵌入式闪存硅知识产权，客户能够将其目前的0.18微米产品范围延伸至车用微控制器(MCU)产品领域
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台积电 嵌入式闪存 MCU
- 上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一， 开发了其针对不同应用的多样化设计方案。基于该设计方案，客户可在宏力半导体经过硅验证的技术平台上进行设计，从而更为有效，同时减少风险。
丰富的高性能、通过硅验证的IP模块系列，对客户现有的IC设计起到了优势互补的作用。该系列可提供各种混合信号IP，内嵌ESD保护电路的高性能IO，以及嵌入式闪存IP模块 (包括BIST和flash macros等)。
宏力半导体是唯一一家由SST授权拥有0.25-0.13
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宏力 嵌入式闪存 IP
- 世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)近日宣布，公司基于0.13微米嵌入式闪存(eFlash)工艺平台，成功开发出面向高性能智能卡、信息安全及微处理器等应用的嵌入式EEPROM(电可擦可编程只读存储器)解决方案，充分展现了华虹NEC在嵌入式非挥发性存储器(eNVM)技术上的领先地位和创新优势。
华虹NEC的0.13微米嵌入式EEPROM是在已有的0.13微米嵌入式Flash平台上开发的，实现了Flash和EEPROM的完美兼容，也
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华虹NEC 晶圆代工 嵌入式闪存
嵌入式闪存介绍
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