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中国台湾自研重点放在半导体关键材料自主化，9家厂商年底将进行终端产线验证。 最快明年深紫外光（DUV）曝光机的光阻剂核心材料，可打入台积电、联电等代工大厂产线中。

微影制程是在晶圆上制作电路图案，随着精细度有DUV、EUV（极紫外光）差别。 光阻剂是一种光敏感材料，由树脂、光敏感剂、溶剂和添加剂等组成，乃微影不可或缺重要材料。 至于曝光机的光罩部份，岛内像是家登都有生产，比例已不低。

但过去晶圆代工制程曾发生过光阻剂大缺货，为了把关键材料掌握在自己手中，岛内推动两期半导体先进制程与封装材料研发。 第一期2022年完成，共7家业者开发深紫外光光阻周边材料、7到10纳米制程用原子层沉积前驱物、六吋半绝缘碳化硅晶圆等，都完成下游客户验证，后续量产投资34亿元。

岛内表述补助9家供应链业者开发8项材料，包含深紫外光光阻材料、3到5纳米制程原子层沉积前驱物、干膜光阻材料等，到2024年底结束。

法人智库工研院表示，目前光阻剂都掌握在日本手上，关键材自主计划希望把周边材料、配方都改由岛内生产。 第二期的光阻剂研发是往更核心材料发展，像是感光树脂中的起始剂、添加剂等。

等到核心光阻剂材料年底验证完后，工研院说，最快明年厂商就可试量产。 至于供应量多少，要看上游台积电、联电、力积电需求，涉及商业机密，但目标是逐步取代从日本进口。

虽然DUV传统是成熟制程或至少7纳米以上使用，但工研院表示，透过节点调整，DUV也可以应用到5纳米、3纳米，只是良率多寡而已，中国大陆就是靠节点调整去生产先进制程芯片。

工研院强调，最终国内会走向DUV光阻剂等周边材生产全部本土化，下一步还会朝EUV周边材自主化去走，目前极紫外光已经有放入前瞻计划中研发，不过需要时间，还有点远。