乌鲁木齐市地铁1号线水磨沟区新兴街站 全封闭施工
- 报道称，日本新创晶圆代工厂商Rapidus的IIM-1厂区已经展开对采用2nm环绕栅极（GAA）晶体管技术的测试晶圆进行原型制作，并计划在2027年量产。为了支持早期客户，Rapidus正在准备于2026年第一季发表其制程开发套件（PDK）的第一个版本。根据最近披露的数据，2023年9月，Rapidus在北海道千岁地区开始建设其首座晶圆厂IIM-1；2024年4月，晶圆厂的框架、洁净室和基础设备就已完工；2024年12月，引进了ASML的EUV光刻机设备；2025年4月，启动了中试线，随后7月成功完成了第
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- 江苏先进存储半导体（AMS）已发布声明正式宣布其重组计划失败。这不仅标志着我国最后一家 12 英寸晶圆厂项目的最终崩溃，也成为了该国未完成的科技企业浪潮的典型案例，正如新浪所指出。报告指出，AMS 的重组工作始于 2023 年 7 月。当时，这家公司——曾计划投资 130 亿元人民币建设 12 英寸晶圆厂——被破产清算。报告强调，其核心资产包括一台价值 1.43 亿元人民币的 ASML 光刻机。AMS 的失败凸显了我国在积极推动新建半导体项目过程中面临的更广泛问题。据 Tom’s Hardwar
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晶圆代工 制程 市场分析
- 2025 年 6 月 13 日，CellWise 发布了一份关于重大资产出售的草案报告摘要，称其计划将其全资子公司 Silex Sweden 的控制权转让给包括 Bure 和 Creades 在内的七家买家。具体而言，CellWise 的全资子公司将向 Silex Sweden 转让 441,0115 股——相当于交易后总股本的 45.24%——以现金形式进行。根据公告，该交易的定价为23.75亿瑞典克朗。交易前，CellWise 通过其子公司持有 Silex Sweden 的 100%股权，使 Sile
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工艺 制程 半导体制造
- 在持续进行的半导体行业竞争中，台积电和三星电子正激烈争夺2纳米芯片制造的领先地位。据最新报道，两家公司计划于2025年下半年开始2纳米芯片的大规模生产。然而，由于良率优势，台积电在获取订单方面处于领先地位。台积电已开始接收其 2 纳米工艺的订单，预计将在其新竹宝山和高雄晶圆厂进行生产。这标志着该公司首次采用环绕栅极（GAA）架构。新工艺预计将比当前的 3 纳米工艺提升 10%至 15%的性能，降低 25%至 30%的功耗，并增加 15%的晶体管密度。主要客户据报包括 AMD、苹果、英伟达、高通和联发科。值
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- 据报道，全球晶圆代工厂（GF）将在未来几年内投资 11 亿欧元，将其位于德国德累斯顿的芯片工厂产能翻倍。这消息传来之际，该公司还宣布为位于纽约马耳他和佛蒙特州的 CMOS 芯片工厂和氮化镓（GaN）芯片工厂追加 30 亿美元资金。公司此前已宣布为这些地点投入 130 亿美元资金，以及最近启动的纽约先进封装和光子中心。然而，美国政府在减少对佛蒙特州和包装中心的资金支持。这是否属于当前的欧盟芯片法案，还是属于下一阶段芯片法案的谈判，还有待观察。当前的欧盟芯片法案因缺乏资金提供、成果和效益的透明度而受到欧洲审计
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- 电子集成技术分为三个层次，芯片上的集成，封装内的集成，PCB板级集成，其代表技术分别为SoC，SiP和PCB（也可以称为SoP或者SoB）芯片上的集成主要以2D为主，晶体管以平铺的形式集成于晶圆平面；同样，PCB上的集成也是以2D为主，电子元器件平铺安装在PCB表面，因此，二者都属于2D集成。而针对于封装内的集成，情况就要复杂得多。电子集成技术分类的两个重要依据：1.物理结构，2.电气连接(电气互连)。目前先进封装中按照主流可分为2D封装、2.5D封装、3D封装三种类型。2D封装012D封装是指在基板的表
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电子集成 工艺 制程
- 5月6日消息，据报道，台积电的2nm制程技术正在引发前所未有的市场需求，有望成为该公司下一个"淘金热"。报道称，台积电的2nm节点需求远超以往任何制程，甚至在大规模量产之前就已经展现出强劲的吸引力，有望超越目前极为成功的3nm节点。台积电的2nm制程技术在成熟度上取得了快速进展，其缺陷密度率已与3nm和5nm相当，并采用了新的环绕栅极晶体管（GAAFET）架构。此外，与3nm增强版（N3E）相比，2nm制程的速度提升了10%至15%。在市场需求方面，苹果被认为是2nm制程的最大客户，可
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- 据日本共同通信社和日经新闻报道，日本政府计划在2025年下半年对半导体企业Rapidus出资1,000亿日元，并成为其股东。这一计划的法律基础已经确立，日本参议院于4月25日通过了《信息处理促进法》等修正案，正式为相关支持铺平道路。日本经济产业省（经产省）主管的信息处理推进机构（IPA）将新增金融业务，向民间金融机构为下一代半导体企业提供债务担保。这一机制将使日本政府能够通过IPA对Rapidus进行出资，出资对象将通过公开招募选定，预计为Rapidus。经产省已在2025年度预算中预留了1,000亿日元
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- 作为全球晶圆代工产业的龙头，2024年台积电全年合并营收达900亿美元，同比增长30%；税后净利达365亿美元，同比大幅增长35.9%。毛利率达到56.1%，营业利益率达45.7%，皆创历史新高。2025年首季，台积电的营运表现远超市场预期。据晶圆代工业内人士透露，台积电首季毛利率达58.8%，且预计第二季毛利率有望介于57%-59%的高位区间；美元营收有望实现环比增长13%、同比增长近40%。与之形成鲜明对比的是，二线代工厂首季营运并未出现明显回暖迹象。具体来看，联电2025年首季合并营收为新台币578
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- 4月15日，AMD宣布其新一代Zen 6 EPYC处理器「Venice」正式完成投片（tape out），成为业界首款采用台积电2nm（N2）制程技术的高效能运算（HPC）处理器，预计将于明年上市。这也是AMD首次拿下台积电最新制程工艺的首发，而以往则都是由苹果公司的芯片首发。N2是台积电首个依赖于全环绕栅极晶体管（Gate All Around，GAA）的工艺技术，预计与N3（3nm）相比，可将功耗降低24%至35%，或者在相同运行电压下的性能提高15%，同时晶体管密度是N3的1.15倍，这些提升主要得
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- 英特尔的代工服务高级副总裁 Kevin O'Buckley 在 2025 年愿景大会上宣布了公司 18A 工艺节点的进展。?在 2025 年愿景会议上，英特尔今天宣布已进入其 18A 工艺节点的风险生产，这是一个关键的生产里程碑，标志着该节点现在处于小批量测试制造运行的早期阶段。英特尔的代工服务高级副总裁 Kevin O'Buckley 宣布了这一消息，因为英特尔即将完全完成其“四年五个节点”（5N4Y） 计划，该计划最初由前首席执行官帕特·基辛格 （Pat Gelsinger）
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英特尔 18A 制程
- 3月24日消息，中国科学院（CAS）研究人员成功研发突破性的固态深紫外（DUV）激光，能发射 193 纳米的相干光（Coherent Light），与当前被广泛采用的DUV曝光技术的光源波长一致。相关论坛已经于本月初被披露在了国际光电工程学会（SPIE）的官网上。目前，全球主要的DUV光刻机制造商如ASML、Canon和Nikon，均采用氟化氩（ArF）准分子激光技术。这种技术通过氩（Ar）和氟（F）气体混合物在高压电场下生成不稳定分子，释放出193纳米波长的光子。这些光子以短脉冲、高能量形式发射，输出功
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- 在半导体制程技术的竞赛中，2纳米制程成为各大厂商争夺的下一个重要里程碑。 台积电（TSMC）正在积极研发2纳米制程，于2024年开始试产，并计划于2025年实现量产。 台积电将在2纳米节点引入GAA（环绕栅极）纳米片晶体管技术，这是从传统的FinFET转向新一代晶体管架构的重大转变。 台积电也计划兴建2纳米晶圆厂，以满足未来的生产需求。台积电在制程技术上一直保持领先，拥有稳定的制造流程和广泛的客户基础。 与苹果、AMD、高通等大客户的紧密合作，使其在市场上具有强大的影响力。 且需面对来自三星和英特尔在GA
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2纳米 制程 台积电
- 近日，英特尔宣布，其18A制程节点（1.8纳米）已经准备就绪，并计划在今年上半年开始设计定案。该制程将导入多项先进半导体技术。18A制程相较于英特尔3nm制程，可将芯片密度提升30%，并提高每瓦性能约15%。英特尔计划将18A制程应用于即将推出的Panther
Lake笔电处理器与Clearwater Forest服务器CPU，这两款产品预计将于年底前上市。18A制程的一大突破是PowerVia背面供电技术。该技术透过将粗间距金属层与凸块移至芯片背面，并采用纳米级硅穿孔（through-silicon
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- 2月13日消息，虽然受到美国制裁，但中国一直是以光刻机为主的晶圆/芯片制造设备的最大采购国，而根据半导体研究机构TechInsights的最新报告，2025年中国半导体厂商的采购将首次出现大幅下降。报告称，2024年，中国对半导体制造设备的采购额为410亿美元，而在2025年预计会降至380亿美元，降幅超过7％。TechInsights认为，这一方面是美国的出口管制政策越发收紧，另一方面是中国半导体本身不断取得突破，同时芯片供应超过了需求。30亿美元的下降很大，不过380亿美元的采购规模，仍然让中国稳居世
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